[發明專利]背板、背板的制備方法和背光模組

在審

• 申請號: 202010407801.5
• 申請日: 2020-05-14
• 公開（公告）號: CN111564453A
• 公開（公告）日: 2020-08-21
• 發明（設計）人: 鄧永
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;G09F9/33
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 唐秀萍

1.一種背板，包括芯片綁定區、驅動電路區以及背光源綁定區，其特征在于，包括：

襯底；

第一金屬層，形成在所述襯底一側，所述第一金屬層在所述芯片綁定區形成第一導電構件，在所述背光源綁定區形成第二導電構件；

絕緣層，形成在所述第一金屬層遠離所述襯底的一側；

源漏極層，形成在所述絕緣層遠離所述第一金屬層的一側，所述源漏極層在所述芯片綁定區形成第三導電構件，在所述背光源綁定區形成第四導電構件；

鈍化層，形成在所述源漏極層遠離所述絕緣層的一側；

連接構件，形成在所述鈍化層遠離所述源漏極層的一側，所述連接構件包括位于所述芯片綁定區內的第一連接構件、以及位于所述背光源綁定區內的第二連接構件，所述第一連接構件通過第一過孔與所述第一導電構件連接，通過第二過孔與所述第三導電構件連接，所述第二連接構件通過第三過孔與所述第二導電構件連接，通過第四過孔與所述第四導電構件連接，所述第一連接構件和所述第二連接構件中的至少一者，材料包括金屬Mo、金屬Al、MoAl合金和MoTi合金中的至少一種。

2.如權利要求1所述的背板，其特征在于，所述背板還包括有源層，所述有源層形成在所述第一金屬層與所述源漏極層之間、或所述第一金屬層與所述襯底之間，所述有源層的材料包括多晶硅或金屬氧化物。

3.如權利要求1所述的背板，其特征在于，所述第一金屬層和所述源漏極層的材料包括MoCu合金和MoAl合金中的至少一種。

4.如權利要求1所述的背板，其特征在于，在所述驅動電路區，所述第一金屬層形成薄膜晶體管的柵極，所述源漏極層形成所述薄膜晶體管的源極和漏極。

5.如權利要求1所述的背板，其特征在于，所述第一連接構件和所述第二連接構件中的至少一者，材料包括MoAl合金，其中Mo的厚度為300埃，Al的厚度為500至3000埃。

6.如權利要求1所述的背板，其特征在于，所述鈍化層在所述背光源綁定區內形成有第五過孔，背光源通過所述第五過孔與所述第四導電構件綁定。

7.一種背板的制備方法，所述背板包括芯片綁定區、驅動電路區以及背光源綁定區，其特征在于，所述背板的制備方法包括：

提供襯底；

在所述襯底上制備第一金屬層，所述第一金屬層在所述芯片綁定區形成第一導電構件，在所述背光源綁定區形成第二導電構件；

在所述第一金屬層上制備絕緣層；

在所述層間絕緣層上制備源漏極層，所述源漏極層在所述芯片綁定區形成第三導電構件，在所述背光源綁定區形成第四導電構件；

在所述源漏極層上制備鈍化層；

在所述鈍化層上制備連接構件，所述連接構件包括位于所述芯片綁定區內的第一連接構件、以及位于所述背光源綁定區內的第二連接構件，所述第一連接構件通過第一過孔與所述第一導電構件連接，通過第二過孔與所述第三導電構件連接，所述第二連接構件通過第三過孔與所述第二導電構件連接，通過第四過孔與所述第四導電構件連接，所述第一連接構件和所述第二連接構件中的至少一者，材料包括金屬Mo、金屬Al、MoAl合金和MoTi合金中的至少一種。

8.如權利要求7所述的背板的制備方法，其特征在于，所述在所述鈍化層上制備連接構件的步驟，包括：

在所述鈍化層上沉積連接層；

使用BCl₂和Cl₂的混合氣體刻蝕所述連接層，形成連接構件。

9.如權利要求7所述的背板的制備方法，其特征在于，所述在所述鈍化層上制備連接構件的步驟，包括：

在所述鈍化層上沉積連接層；

使用鋁酸溶液刻蝕所述連接層，形成連接構件。

10.一種背光模組，其特征在于，包括背板和與所述背板綁定的背光源，所述背板為權利要求1至6任一項所述的背板。