[發明專利]用于表面離子阱的低溫射頻諧振器在審
| 申請號： | 202010407779.4 | 申請日： | 2020-05-14 |
| 公開（公告）號： | CN111953316A | 公開（公告）日： | 2020-11-17 |
| 發明（設計）人： | 亞當·里德;本杰明·斯波恩;扎卡里·普賴斯 | 申請（專利權）人： | 霍尼韋爾國際公司 |
| 主分類號： | H03H9/24 | 分類號： | H03H9/24;H03H9/02;H03H9/125 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 蔣駿;陳嵐 |
| 地址： | 美國新*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 表面 離子 低溫 射頻 諧振器 | ||
1.一種低溫射頻諧振器系統，所述低溫射頻諧振器系統包括：
電感裝置，所述電感裝置至少部分地設置在導熱基板內；
低溫電容裝置，所述低溫電容裝置耦接到電感器以形成具有相關聯的電路阻抗值的低溫諧振電路；
射頻(RF)輸入端口，所述射頻(RF)輸入端口用于將輸入RF信號路由到所述低溫諧振電路，所述低溫諧振電路生成阻抗匹配的RF信號；和
RF輸出端口，所述RF輸出端口用于向外部低溫裝置提供所述阻抗匹配的RF信號。
2.根據權利要求1所述的系統，其中：
所述低溫諧振電路包括放大器電路；
所述放大器電路生成阻抗匹配的放大RF信號；并且
所述RF輸出端口向所述外部低溫裝置提供所述阻抗匹配的放大RF信號。
3.根據權利要求1所述的系統，還包括導熱殼體。
4.根據權利要求3所述的系統，其中所述導熱殼體包括被配置為與導熱安裝基板配合的至少一個導熱表面。
5.根據權利要求1所述的系統，其中所述低溫電容裝置被配置為提供可調節的電容，所述可調節的電容修改放大器阻抗。
6.一種低溫射頻諧振器方法，所述低溫射頻諧振器方法包括：
在低溫諧振電路處經由射頻(RF)輸入端口接收輸入RF信號，所述低溫諧振電路包括至少部分地設置在導熱基板內的電感裝置和耦接到電感器的低溫電容裝置；
基于所述輸入RF信號在所述低溫諧振電路處生成阻抗匹配的RF信號；以及
經由RF輸出端口向外部低溫裝置提供所述阻抗匹配的RF信號。
7.根據權利要求6所述的方法，其中：
所述低溫諧振電路包括放大器電路；
在所述低溫諧振電路處所述阻抗匹配的RF信號的所述生成包括生成阻抗匹配的放大RF信號；并且
所述阻抗匹配的RF信號的所述提供包括向所述外部低溫裝置提供所述阻抗匹配的放大RF信號。
8.根據權利要求6所述的方法，其中所述低溫諧振電路被設置在導熱殼體內。
9.根據權利要求8所述的方法，其中所述導熱殼體包括被配置為與導熱安裝基板配合的至少一個導熱表面。
10.根據權利要求6所述的方法，其中所述低溫電容裝置被配置為提供可調節的電容，所述可調節的電容修改放大器阻抗。
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