[發明專利]用于控制磁共振成像系統的方法和設備有效
| 申請號: | 202010406145.7 | 申請日: | 2020-05-14 |
| 公開(公告)號: | CN111948588B | 公開(公告)日: | 2023-06-16 |
| 發明(設計)人: | A.班普頓;S.比伯;A.P.約翰斯頓;J.尼斯特勒;A.波特哈斯特;M.韋斯特;A.德奧利韋拉 | 申請(專利權)人: | 西門子醫療有限公司 |
| 主分類號: | G01R33/389 | 分類號: | G01R33/389;G01R33/00;A61B5/055 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 張邦帥 |
| 地址: | 德國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 控制 磁共振 成像 系統 方法 設備 | ||
1.一種用于校準確定流過磁共振成像系統的基本場磁體的電流的測量元件的校準方法,包括以下步驟:
利用測量元件執行測量,由此能夠確定流過磁共振成像系統的基本場磁體的電流I,
用頻率測量單元在基本場磁體的磁場中進行頻率測量,
其中,測量元件的測量和頻率測量對應于基本場磁體的相同磁場,
基于測量元件的測量與頻率測量之間的偏差來計算校準因子,
基于校準因子來校準測量元件或基本場磁體中的電流,
其中,通過從測量元件的測量和頻率測量中計算出相應參數,并基于這些相應參數的差異將校準因子確定為測量元件的老化因子,來進行測量元件的校準,
其中,在斜升過程開始時進行測量元件的測量,而在斜升過程之前進行頻率測量,
其中,所述基本場磁體是具有持續開關的超導磁體,并且通過以下步驟來執行所述斜升過程:斷開所述持續開關,并通過基于測量元件的測量確定時間分辨電流曲線來確定流過所述基本場磁體的電流I,
其中,通過將電流曲線重建到斷開持續開關的時間點來計算在斷開持續開關之前流過基本場磁體的電流I。
2.根據權利要求1所述的校準方法,其中,體模或患者掃描用于頻率測量。
3.根據前述權利要求中任一項所述的校準方法,其中,在斜升過程結束時進行測量元件的測量,而在斜升過程之后進行頻率測量。
4.根據權利要求3所述的校準方法,其中,在患者掃描期間,在斜升過程之后的下一次患者掃描期間,執行頻率測量,其中,測量元件的校準基于該頻率測量,
并且其中,基于在不同時間點或預定的老化曲線測量的后續校準因子的時間序列來調整校準。
5.根據權利要求1至2中任一項所述的校準方法,其中,確定流過基本場磁體的電流I通過測量具有預定義的或更早的校準值R的分流電阻上的電壓V并用公式I=U/R計算I來執行,
其中,校準因子與測得的頻率的偏差線性比例地變化到預定義的目標頻率Δf,或者其中,基于測得的頻率f、常數系數x和確定的電流I從C=x·I/f來計算校準因子C。
6.一種用于控制磁共振成像系統的基本場磁體的斜升的斜升方法,包括以下步驟:
斜升磁共振成像系統的基本場磁體,其中,基本場磁體的磁場從第一磁場強度斜升到第二磁場強度,其中,在基本場磁體中流動的電流I由測量元件確定,并且其中,測量元件通過根據權利要求1至5中的一項所述的方法校準。
7.根據權利要求6所述的斜升方法,其中,在進行斜升過程之前,使用在先前的斜升過程中計算出的校準因子對測量元件進行校準,
其中,基于來自預定義的老化曲線的條件因子或根據在不同時間點測量的后續校準因子的時間序列的外推法來計算的條件因子來調整校準因子。
8.根據權利要求6或7所述的斜升方法,其中,在測量元件的校準之后,但是在下一斜升過程之前,執行斜升調整過程,其中,基于測量元件的校準來調整基本場磁體中的電流I。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于西門子醫療有限公司,未經西門子醫療有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010406145.7/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:基板處理方法及基板處理裝置
- 下一篇:電子照相用帶和電子照相圖像形成設備





