[發明專利]功率半導體器件

在審

• 申請號: 202010403783.3
• 申請日: 2020-05-13
• 公開（公告）號: CN111554740A
• 公開（公告）日: 2020-08-18
• 發明（設計）人: 賀東曉
• 申請（專利權）人: 麗晶美能（北京）電子技術有限公司
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L21/335;H01L29/06
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 王曉玲

1.一種功率半導體器件，包括有源區和終端區，所述有源區和所述終端區均具有襯底，所述終端區環繞所述有源區設置，其特征在于，所述終端區包括：

多個第一場板，位于所述襯底上，各所述第一場板沿由所述有源區到所述終端區的方向間隔設置，且相鄰各所述第一場板具有相等的第一間距，所述第一間距為0.1～8μm。

2.根據權利要求1所述的功率半導體器件，其特征在于，所述終端區還包括：

場隔離結構，位于所述襯底與所述第一場板之間；

場限環，位于所述襯底中并環繞所述有源區設置，且所述場限環與所述場隔離結構接觸設置。

3.根據權利要求2所述的功率半導體器件，其特征在于，

在由所述有源區到所述終端區的方向上，所述場限環的摻雜濃度遞減；或者

在由所述有源區到所述終端區的方向上，所述場限環與所述襯底之間形成的PN結結深遞減；或者

在由所述有源區到所述終端區的方向上，所述場限環的摻雜濃度遞減，且所述場限環與所述襯底之間形成的PN結結深遞減。

4.根據權利要求2所述的功率半導體器件，其特征在于，所述場限環為多個，在由所述有源區到所述終端區的方向上，各所述場限環間隔設置于所述襯底中，相鄰各所述場限環的中心線的間距相等，且各所述場限環的寬度遞減。

5.根據權利要求4所述的功率半導體器件，其特征在于，所述場限環與所述第一場板的數量相同。

6.根據權利要求4所述的功率半導體器件，其特征在于，相鄰各所述場限環的寬度差值相同。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的功率半導體器件，其特征在于，各所述第一場板具有相同的第一寬度。

8.根據權利要求1至6中任一項所述的功率半導體器件，其特征在于，所述第一場板為金屬場板或多晶硅場板。

9.根據權利要求1至6中任一項所述的功率半導體器件，其特征在于，所述終端區還包括：

層間介質層，位于所述第一場板遠離所述襯底的一側；

多個第二場板，位于所述層間介質層遠離所述第一場板的一側，各所述第二場板沿遠離所述有源區的方向間隔設置，相鄰各所述第二場板具有相等的第二間距，所述第二間距為0.1～8μm。

10.根據權利要求9所述的功率半導體器件，其特征在于，各所述第二場板具有相同的第二寬度。

11.根據權利要求10所述的功率半導體器件，其特征在于，各所述第一場板具有相同的第一寬度，各所述第一寬度與各所述第一間距的總和等于各所述第二寬度與各所述第二間距的總和。

12.根據權利要求9所述的功率半導體器件，其特征在于，相鄰各所述第一場板之間具有第一間隔區域，相鄰各所述第二場板之間具有第二間隔區域，各所述第一間隔區域與各所述第二間隔區域一一對應設置。

13.根據權利要求9所述的功率半導體器件，其特征在于，相鄰各所述第一場板之間的間隔區域與各所述第二場板對應，且相鄰各所述第二場板之間的間隔區域與各所述第一場板對應。

14.根據權利要求9所述的功率半導體器件，其特征在于，所述第一場板為多晶硅場板，所述第二場板為金屬場板。

15.根據權利要求14所述的功率半導體器件，其特征在于，各所述第二間距大于各所述第一間距。

16.根據權利要求14所述的功率半導體器件，其特征在于，所述金屬場板與所述多晶硅場板的數量相同，或所述金屬場板為n個，所述多晶硅場板為n+1個，n為大于1的自然數。