[發明專利]一種多重介質芯片油藏及其制作和應用方法

有效

• 申請號: 202010403752.8
• 申請日: 2020-05-13
• 公開（公告）號: CN111706316B
• 公開（公告）日: 2022-01-07
• 發明（設計）人: 王沫然;雷文海;楊光
• 申請（專利權）人: 清華大學
• 主分類號: E21B49/00
• 分類號: E21B49/00;G06F30/20
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 陳丹;張奎燕

1.一種多重介質芯片油藏，所述多重介質芯片油藏包括至少兩個高滲層和至少一個低滲層，每一個所述高滲層的相對的兩側上分別設置有一個進出口；

其中，所述多重介質芯片油藏通過下述方法獲得：

(1)選取水驅剛突破后的巖心，對所述巖心的二維切面進行初步掃描，以初步確定巖心結構掃描所需的分辨率；

(2)采用步驟(1)初步確定的分辨率，對所述巖心進行三維結構掃描；

(3)基于步驟(2)得到的三維結構掃描數據，對所述巖心進行三維結構重構以得到所述巖心的含水區域及含油區域，含水區域代表高滲層區域，含油區域代表低滲層區域，分別提取所述巖心的低滲層區域和高滲層區域的三維結構；

(4)基于步驟(3)得到的所述巖心的低滲層區域和高滲層區域的三維結構，分別分析得到所述巖心的低滲層區域和高滲層區域的孔徑分布及特征孔徑；

(5)根據步驟(4)得到的低滲層區域的孔徑分布和特征孔徑，將小顆粒隨機生長在芯片油藏的低滲層區域中，直到生成結構的孔徑分布及特征孔徑與所述巖心的低滲層區域的孔徑分布及特征孔徑類似；

(6)根據步驟(4)得到的高滲層區域的孔徑分布和特征孔徑，將小顆粒隨機生長在芯片油藏的高滲層區域中，并且在設定位置處預留出進出口，直到生成結構的孔徑分布及特征孔徑與所述巖心的高滲層區域的孔徑分布及特征孔徑類似，得到芯片油藏結構圖片；

(7)將所述芯片油藏結構圖片導入到繪圖軟件中，并在所述繪圖軟件中繪制芯片油藏結構的進出口，得到芯片油藏設計圖；和

(8)將所述芯片油藏設計圖刻蝕在基底上，并和在相應位置處設置有進孔和出孔的耐熱玻璃陽極鍵合，得到所述多重介質芯片油藏。

2.根據權利要求1所述的多重介質芯片油藏，其中，所述多重介質芯片油藏包括2N個高滲層和2N-1個低滲層，所述高滲層和所述低滲層按照從上到下依次為高滲層、低滲層、高滲層、低滲層、……、高滲層的方式分布；所述進出口設置有4N個，這里的N為1、2、3、……。

3.根據權利要求1或2所述的多重介質芯片油藏，其中，所述多重介質芯片油藏包括兩個高滲層和一個低滲層，所述高滲層和所述低滲層按照從上到下依次為高滲層、低滲層和高滲層的方式分布；所述進出口設置有四個。

4.根據權利要求1所述的多重介質芯片油藏，其中，所述多重介質芯片油藏包括三個高滲層和兩個低滲層，所述高滲層和所述低滲層按照從上到下依次為高滲層、低滲層、高滲層、低滲層和高滲層的方式分布；所述進出口設置有六個。

5.一種多重介質芯片油藏的制作方法，包括：

(1)選取水驅剛突破后的巖心，對所述巖心的二維切面進行初步掃描，以初步確定巖心結構掃描所需的分辨率；

(2)采用步驟(1)初步確定的分辨率，對所述巖心進行三維結構掃描；

(3)基于步驟(2)得到的三維結構掃描數據，對所述巖心進行三維結構重構以得到所述巖心的含水區域及含油區域，含水區域代表高滲層區域，含油區域代表低滲層區域，分別提取所述巖心的低滲層區域和高滲層區域的三維結構；

(4)基于步驟(3)得到的所述巖心的低滲層區域和高滲層區域的三維結構，分別分析得到所述巖心的低滲層區域和高滲層區域的孔徑分布及特征孔徑；

(5)根據步驟(4)得到的低滲層區域的孔徑分布和特征孔徑，將小顆粒隨機生長在芯片油藏的低滲層區域中，直到生成結構的孔徑分布及特征孔徑與所述巖心的低滲層區域的孔徑分布及特征孔徑類似；

(6)根據步驟(4)得到的高滲層區域的孔徑分布和特征孔徑，將小顆粒隨機生長在芯片油藏的高滲層區域中，并且在設定位置處預留出進出口，直到生成結構的孔徑分布及特征孔徑與所述巖心的高滲層區域的孔徑分布及特征孔徑類似，得到芯片油藏結構圖片；

(7)將所述芯片油藏結構圖片導入到繪圖軟件中，并在所述繪圖軟件中繪制芯片油藏結構的進出口，得到芯片油藏設計圖；和

(8)將所述芯片油藏設計圖刻蝕在基底上，并和在相應位置處設置有進孔和出孔的耐熱玻璃陽極鍵合，得到所述多重介質芯片油藏。