[發明專利]一種碳納米管/砷化鎵異質結寬光譜超薄太陽能電池及其構筑方法在審
| 申請號： | 202010403729.9 | 申請日： | 2020-05-13 |
| 公開（公告）號： | CN111584719A | 公開（公告）日： | 2020-08-25 |
| 發明（設計）人： | 蘇言杰;劉丕均;葉顯柱 | 申請（專利權）人： | 南京晶碳納米科技有限公司;南京微米電子產業研究院有限公司 |
| 主分類號： | H01L51/46 | 分類號： | H01L51/46;H01L51/42;H01L51/48;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 南京泰普專利代理事務所(普通合伙) 32360 | 代理人： | 竇賢宇 |
| 地址： | 210043 江蘇省南京市江北新*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 納米 砷化鎵異質結寬 光譜 超薄 太陽能電池 及其 構筑 方法 | ||
1.一種碳納米管/砷化鎵異質結寬光譜超薄太陽能電池，其特征在于，包括：
基底，采用N型摻雜砷化鎵制成；
下電極，位于所述基底的底部；
絕緣層，位于基底上部且中間開有窗口；
碳納米管薄膜，位于絕緣層或絕緣層窗口內與所述基底直接接觸，形成碳納米管/砷化鎵異質結；
圖形化上電極，位于所述絕緣層表面碳納米管薄膜上。
2.根據權利要求1所述的碳納米管/砷化鎵異質結寬光譜超薄太陽能電池，其特征在于，所述下電極為金電極。
3.根據權利要求1所述的碳納米管/砷化鎵異質結寬光譜超薄太陽能電，其特征在于，所述基底厚度為50～500nm。
4.根據權利要求1所述的碳納米管/砷化鎵異質結寬光譜超薄太陽能電池，其特征在于，所述絕緣層為Si3N4、Al2O3或SiO2。
5.根據權利要求1所述的碳納米管/砷化鎵異質結寬光譜超薄太陽能電池，其特征在于，所述碳納米管薄膜由半導體性單壁碳納米管組成，且絕緣窗口內碳納米管與N型砷化鎵直接接觸，其余部分在絕緣層表面。
6.根據權利要求1所述的碳納米管/砷化鎵異質結寬光譜超薄太陽能電池，其特征在于，所述的碳納米管薄膜通過旋涂法、抽濾法或靜電自組裝法獲得，所述碳納米管薄膜厚度為5～50nm。
7.根據權利要求1所述的碳納米管/砷化鎵異質結寬光譜超薄太陽能電池，所述的上電極為銀電極，且銀電極與絕緣層表面的碳納米管薄膜接觸。
8.一種碳納米管/砷化鎵異質結寬光譜超薄太陽能電池的構筑方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟一、以N型摻雜砷化鎵半導體為基底，背面蒸鍍金電極，在摻雜砷化鎵基底上采用原子層濺射沉積的方法生長帶窗口的絕緣層；
步驟二、采用抽濾的方法制備碳納米管薄膜；
步驟三、將碳納米管薄膜轉移到砷化鎵基底上，點上圖形化的銀膠并烘干作為上電極；即得到寬光譜超薄太陽能電池。
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H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
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