[發明專利]一種半導體器件及其制作方法

有效

• 申請號: 202010402582.1
• 申請日: 2020-05-13
• 公開（公告）號: CN111710649B
• 公開（公告）日: 2023-10-13
• 發明（設計）人: 李永亮;程曉紅;張青竹;王文武
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L27/092
• 代理公司: 北京知迪知識產權代理有限公司 11628
• 代理人: 王勝利

1.一種半導體器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供一襯底，所述襯底包括N阱區和P阱區；

在所述襯底上形成第一半導體材料層，所述第一半導體材料層至少覆蓋在所述P阱區上；

在所述襯底上形成第二半導體材料層，所述第二半導體材料層覆蓋在所述N阱區上，所述第二半導體材料層所含有的材料不同于所述第一半導體材料層所含有的材料；

在所述襯底上形成至少兩個鰭狀結構；

在相鄰所述鰭狀結構之間形成淺槽隔離層。

2.根據權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述第二半導體材料層內含有Ge。

3.根據權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述在所述襯底上形成第一半導體材料層包括：

在所述襯底上形成覆蓋所述N阱區和P阱區的第一材料層；

處理位于所述N阱區上的所述第一材料層，或，處理對應所述N阱區的所述第一材料層和對應所述N阱區的所述襯底，形成凹槽，所述凹槽的深度小于、等于或大于所述第一材料層的厚度，使得剩余所述第一材料層形成所述第一半導體材料層。

4.根據權利要求3所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述第一材料層所含有的材料為Si；和/或，

所述第一材料層的層厚為20nm～100nm。

5.根據權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述在所述襯底上形成第二半導體材料層包括：

在所述第一半導體材料層和所述N阱區的上方，形成覆蓋所述第一半導體材料層和所述N阱區的第二材料層；

對所述第一半導體材料層和所述第二材料層，或對所述第二材料層進行平坦化處理，使得剩余所述第二材料層形成第二半導體材料層，所述第二半導體材料層的頂部與所述第一半導體材料層的頂部齊平。

6.根據權利要求5所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述第二材料層所含有的材料為Si_1-xGe_x，其中，0.2≤x≤0.7。

7.根據權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述在所述襯底上形成第一半導體材料層后，所述在所述襯底上形成第二半導體材料層前，所述半導體器件的制作方法還包括：

形成覆蓋所述第一半導體材料層和所述N阱區的第三材料層。

8.根據權利要求7所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述第三材料層所含有的材料為Si，所述第三材料層的層厚為1nm～10nm。

9.根據權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述在所述襯底上形成第一半導體材料層后，所述在所述襯底上形成第二半導體材料層前，所述半導體器件的制作方法還包括：

氧化所述第一半導體材料層，或氧化所述襯底和所述第一半導體材料層，形成氧化層；

去除所述氧化層。

10.根據權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述提供一襯底后，所述在所述襯底上形成第一半導體材料層前，所述半導體器件的制作方法還包括：

在所述襯底上形成覆蓋所述襯底的應變緩沖層；

所述在所述襯底上形成至少兩個鰭狀結構包括：

刻蝕所述第一半導體材料層、所述第二半導體材料層、以及所述應變緩沖層，獲得所述至少兩個所述鰭狀結構。