[發(fā)明專利]顯示裝置和制造該顯示裝置的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010401492.0 | 申請日: | 2020-05-13 |
| 公開(公告)號: | CN111969006A | 公開(公告)日: | 2020-11-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 羅志洙;曹永振;文重守 | 申請(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人: | 田野;劉燦強(qiáng) |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示裝置 制造 方法 | ||
1.一種顯示裝置,所述顯示裝置包括:
第一晶體管,設(shè)置在顯示區(qū)域中,所述第一晶體管包括第一有源圖案和第一柵電極;
第二晶體管,電連接到所述第一晶體管,所述第二晶體管包括第二有源圖案和第二柵電極;
發(fā)光元件,電連接到所述第一晶體管和所述第二晶體管中的至少一個(gè);
電力布線,設(shè)置在圍繞所述顯示區(qū)域的外圍區(qū)域中,所述電力布線包括:第一電力布線圖案;第二電力布線圖案,與所述第一電力布線圖案間隔開;以及橋接圖案,將所述第一電力布線圖案和所述第二電力布線圖案連接;
信號布線,設(shè)置在所述外圍區(qū)域中;以及
絕緣層,設(shè)置為覆蓋所述電力布線和所述信號布線,所述絕緣層包括有機(jī)層去除區(qū)域,所述絕緣層的至少一部分在所述有機(jī)層去除區(qū)域中被去除,
其中,所述橋接圖案與所述有機(jī)層去除區(qū)域疊置,
其中,所述電力布線和所述信號布線在所述有機(jī)層去除區(qū)域中彼此疊置,并且
其中,所述信號布線與所述第一柵電極設(shè)置在同一層中,并且所述橋接圖案與所述第二柵電極設(shè)置在同一層中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,所述顯示裝置還包括:柵極布線圖案,設(shè)置在所述第一柵電極上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置,所述顯示裝置還包括:
第一絕緣層,覆蓋所述第一有源圖案;
第二絕緣層,覆蓋所述第一柵電極;
第三絕緣層,覆蓋所述柵極布線圖案;
第四絕緣層,覆蓋所述第二柵電極和所述橋接圖案;以及
第一源極金屬圖案,設(shè)置在所述第四絕緣層上,并且包括源電極和漏電極,
其中,所述絕緣層包括:第五絕緣層,覆蓋所述第一源極金屬圖案;以及像素限定層,設(shè)置在所述第五絕緣層上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置,所述顯示裝置還包括:壩結(jié)構(gòu),設(shè)置在所述有機(jī)層去除區(qū)域中。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,所述顯示裝置還包括覆蓋所述發(fā)光元件的封裝層。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置,所述顯示裝置還包括:
柵極絕緣圖案,設(shè)置在所述第二有源圖案與所述第二柵電極之間;以及
虛設(shè)絕緣圖案,設(shè)置在所述橋接圖案與所述第三絕緣層之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置,其中,所述信號布線包括第一扇出線和第二扇出線,所述第一扇出線與所述第一柵電極設(shè)置在同一層中,所述第二扇出線與所述柵極布線圖案設(shè)置在同一層中。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,所述電力布線被配置為將電力傳輸?shù)剿霭l(fā)光元件。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示裝置,其中,所述電力布線包括:
第一電力布線,被配置為將第一電源電壓傳輸?shù)剿霭l(fā)光元件;以及
第二電力布線,被配置為將第二電源電壓傳輸?shù)剿霭l(fā)光元件。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,所述信號布線被配置為將數(shù)據(jù)信號傳輸?shù)剿龅谝痪w管和所述第二晶體管中的至少一個(gè)。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,所述第一有源圖案包括硅,并且其中,所述第二有源圖案包括氧化物半導(dǎo)體。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,所述橋接圖案和所述第一電力布線圖案的接觸區(qū)域沿著所述第一電力布線圖案延伸。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





