[發明專利]攝像裝置有效
| 申請號: | 202010401447.5 | 申請日: | 2014-12-11 |
| 公開(公告)號: | CN111668246B | 公開(公告)日: | 2023-09-15 |
| 發明(設計)人: | 關勇一;井上俊徳;狹山征博;中元幸香 | 申請(專利權)人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H04N25/40 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290 | 代理人: | 陳睆;曹正建 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 攝像 裝置 | ||
1.一種攝像裝置,其包括:
第一光電轉換單元,所述第一光電轉換單元被設置在半導體基板中;
第一濾色器,所述第一濾色器被設置在所述半導體基板的上方,所述第一濾色器對應于所述第一光電轉換單元;
第二光電轉換單元,所述第二光電轉換單元位于所述半導體基板中;
第二濾色器,所述第二濾色器被設置在所述半導體基板的上方,所述第二濾色器對應于所述第二光電轉換單元;以及
遮光膜,所述遮光膜被設置在所述第二濾色器與所述半導體基板之間,在平面圖中,所述遮光膜與所述第二光電轉換單元的一部分重疊,
其中,所述第一濾色器包括第一濾色器材料,
其中,所述第二濾色器包括所述第一濾色器材料,并且
其中,所述第二濾色器比所述第一濾色器更薄,
其中,在截面圖中,所述遮光膜的下表面位于所述第一濾色器的下表面的下方。
2.根據權利要求1所述的攝像裝置,其中,所述遮光膜具有開口,所述開口的尺寸是所述第二光電轉換單元的受光區域的一半。
3.根據權利要求1所述的攝像裝置,其中,所述第一濾色器與所述第二濾色器被形成于同一層內。
4.根據權利要求1所述的攝像裝置,還包括微透鏡,所述微透鏡位于所述第一濾色器和所述第二濾色器的上側。
5.根據權利要求1所述的攝像裝置,還包括平坦化膜,所述第一濾色器和所述第二濾色器被形成于所述平坦化膜上。
6.根據權利要求1所述的攝像裝置,還包括第一膜,所述第一膜位于所述第一光電轉換單元與所述第一濾色器之間。
7.根據權利要求6所述的攝像裝置,還包括第二膜,所述第二膜位于所述第二光電轉換單元與所述第二濾色器之間。
8.根據權利要求7所述的攝像裝置,其中,所述第一膜的折射率高于所述第二膜的折射率。
9.根據權利要求8所述的攝像裝置,其中,所述第一膜的折射率比所述第二膜的折射率高出0.1以上的值。
10.根據權利要求8所述的攝像裝置,其中,所述第一膜的折射率被設定為從1.5到2.0范圍內的值。
11.根據權利要求8所述的攝像裝置,其中,所述第二膜的折射率被設定為從1.1到1.5范圍內的值。
12.根據權利要求7所述的攝像裝置,其中,所述第一膜或所述第二膜起到平坦化膜的作用。
13.根據權利要求12所述的攝像裝置,其中,所述第一膜被形成得覆蓋所述第二膜,并且起到所述平坦化膜的作用。
14.根據權利要求12所述的攝像裝置,其中,所述第二膜被形成得覆蓋所述第一膜,并且起到所述平坦化膜的作用。
15.根據權利要求7所述的攝像裝置,其中,所述第一膜或所述第二膜被形成得具有如凸透鏡形狀一樣的截面形狀。
16.根據權利要求7所述的攝像裝置,其中,所述第一膜和所述第二膜中的任一者或兩者是由具有感光性的材料形成的。
17.根據權利要求1所述的攝像裝置,還包括配線層,所述配線層位于所述半導體基板的上方。
18.根據權利要求1所述的攝像裝置,還包括配線層,所述半導體基板位于所述配線層的上方。
19.根據權利要求1所述的攝像裝置,其中,所述第一濾色器和所述第二濾色器被形成為相同顏色的濾色器。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





