[發(fā)明專利]一種陣列基板、其制作方法及顯示面板、顯示裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010401323.7
• 申請日: 2020-05-13
• 公開（公告）號: CN111554694A
• 公開（公告）日: 2020-08-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 汪濤;黃寅虎;高錦成;錢海蛟;張瑞鋒;朱登攀
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥京東方顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京同達信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 劉源

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：襯底基板，位于所述襯底基板上的導電層，位于所述導電層背離所述襯底基板一側(cè)的絕緣層，以及位于所述導電層與所述絕緣層之間的硅基中間層；其中，

所述硅基中間層與所述導電層、所述絕緣層之間通過化學鍵固定連接。

2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述硅基中間層，包括：3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-巰丙基三甲氧基硅烷和聚碳硅烷其中之一或任意組合。

3.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述導電層為柵極金屬層。

4.如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，還包括：依次位于所述絕緣層背離所述襯底基板一側(cè)的氧化物有源層和源漏極金屬層。

5.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述導電層為源漏極金屬層。

6.如權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，還包括：位于所述絕緣層背離所述襯底基板一側(cè)的像素電極層。

7.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供一襯底基板；

在所述襯底基板上形成導電層；

將具有所述導電層的所述襯底基板置于長鏈硅烷類混合溶液中，形成通過化學鍵與所述導電層固定連接的硅基中間層；

在所述硅基中間層上形成通過化學鍵與所述硅基中間層固定連接的絕緣層。

8.如權(quán)利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述導電層的材料為銅金屬，將具有所述導電層的所述襯底基板置于長鏈硅烷類混合溶液中，形成通過化學鍵與所述導電層固定連接的硅基中間層，具體包括：

將具有所述導電層的所述襯底基板置于濃度為5mg/ml-15mg/ml且至少包含3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-巰丙基三甲氧基硅烷和聚碳硅烷其中之一的有機溶液中，在30℃-60℃的條件下處理10min-30min，形成至少通過羧基-銅、磺酸基-銅、硅-氧-銅其中之一構(gòu)成的化學鍵，與所述導電層固定連接的硅基中間層。

9.如權(quán)利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述絕緣層的材料為含硅的無機介電材料，在所述硅基中間層上形成通過化學鍵與所述硅基中間層固定連接的絕緣層，具體包括：

采用等離子體增強化學氣相沉積法，在所述硅基中間層上形成通過硅-氧-硅化學鍵與所述硅基中間層固定連接的絕緣層。

10.如權(quán)利要求7-9任一項所述的制作方法，其特征在于，在所述襯底基板上形成導電層之后，且在形成通過化學鍵與所述導電層固定連接的硅基中間層之前，還包括：

對所述導電層進行表面清潔處理。

11.如權(quán)利要求10所述的制作方法，其特征在于，對所述導電層進行表面清潔處理，具體包括：

采用氣壓等離子體或遠紫外光去除所述導電層表面的顆粒及油污后，使用雙氧水和硫酸的混合溶液除去所述導電層表面的氧化層。

12.一種顯示面板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-6任一項所述的陣列基板。

13.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求12所述的顯示面板。