[發明專利]成膜方法

在審

• 申請號: 202010401194.1
• 申請日: 2020-05-13
• 公開（公告）號: CN111962041A
• 公開（公告）日: 2020-11-20
• 發明（設計）人: 千葉貴司;佐藤潤
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: C23C16/02
• 分類號: C23C16/02;C23C16/40;C23C16/455;C23C16/50;C23C16/46;C23C16/458
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

1.一種成膜方法，其中，

該成膜方法具有以下步驟：

使氨基硅烷氣體吸附于表面形成有凹部的基板之上；

向所述基板供給氧化氣體，使吸附于所述基板之上的所述氨基硅烷氣體氧化而在所述基板之上堆積硅氧化膜；以及

利用等離子體使包含氦和氧的混合氣體活性化并向所述硅氧化膜供給，從而進行所述硅氧化膜的改性處理。

2.根據權利要求1所述的成膜方法，其中，

該成膜方法周期性地重復使所述氨基硅烷氣體吸附的步驟、使所述硅氧化膜堆積的步驟以及進行所述改性處理的步驟。

3.根據權利要求1或2所述的成膜方法，其中，

該成膜方法重復使所述氨基硅烷氣體吸附的步驟、使所述硅氧化膜堆積的步驟以及進行所述改性處理的步驟，直到在所述凹部填充有所述硅氧化膜為止。

4.根據權利要求3所述的成膜方法，其中，

在通過重復使所述氨基硅烷氣體吸附的步驟、使所述硅氧化膜堆積的步驟以及進行所述改性處理的步驟從而在所述凹部填充所述硅氧化膜的工序之前，進行通過重復以下步驟從而在所述凹部的表面成膜所述硅氧化膜的工序：

使氨基硅烷氣體吸附于所述基板之上；

向所述基板供給氧化氣體，使吸附于所述基板之上的所述氨基硅烷氣體氧化而在所述基板之上堆積硅氧化膜；以及

利用等離子體使包含氬和氧的混合氣體活性化并向所述硅氧化膜供給，從而進行所述硅氧化膜的改性處理。

5.根據權利要求4所述的成膜方法，其中，

成膜所述硅氧化膜的工序和填充所述硅氧化膜的工序不使所述基板暴露于大氣地連續進行。

6.根據權利要求4或5所述的成膜方法，其中，

在使所述氨基硅烷氣體吸附的步驟與使所述硅氧化膜堆積的步驟之間、以及進行所述硅氧化膜的改性處理的步驟與使所述氨基硅烷氣體吸附的步驟之間分別設有向所述基板供給第1吹掃氣體和第2吹掃氣體的步驟。

7.根據權利要求6所述的成膜方法，其中，

所述基板沿著設于真空容器內的旋轉臺上的周向配置，

在所述真空容器內的所述旋轉臺的上方沿著所述旋轉臺的旋轉方向設有氨基硅烷氣體吸附區域、第1分離區域、氧化氣體供給區域、等離子體處理區域、第2分離區域，通過使所述旋轉臺旋轉從而重復成膜所述硅氧化膜的工序和填充所述硅氧化膜的工序中的使所述氨基硅烷氣體吸附的步驟、供給所述第1吹掃氣體的步驟、使所述硅氧化膜堆積的步驟、進行所述硅氧化膜的改性處理的步驟以及供給所述第2吹掃氣體的步驟。

8.根據權利要求1～7中任一項所述的成膜方法，其中，

在所述基板的表面預先形成有由氮化硅膜形成的底膜。