[發(fā)明專利]顯示面板及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010400956.6 | 申請(qǐng)日: | 2020-05-13 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111584744A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-08-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王敏 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L51/52 | 分類號(hào): | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 唐秀萍 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 面板 及其 制備 方法 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括:
一基板;
一有機(jī)發(fā)光器件層,設(shè)于所述基板上;
一第一封裝層,覆蓋所述有機(jī)發(fā)光器件層;
一第二封裝層,設(shè)于所述第一封裝層遠(yuǎn)離所述有機(jī)發(fā)光器件層的一表面上;
其中,所述第一封裝層包括:
氧化硅層,設(shè)于所述有機(jī)發(fā)光器件層上;
氮化硅層,設(shè)于所述氧化硅層上。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,還包括:
一覆蓋層,設(shè)于所述氧化硅層和所述有機(jī)發(fā)光器件層之間;
一蓋板,設(shè)于所述第二封裝層遠(yuǎn)離所述第一封裝層的一表面上。
3.如權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述有機(jī)發(fā)光器件層包括:
發(fā)光層,設(shè)于所述基板上;
陰極層,設(shè)于所述發(fā)光層遠(yuǎn)離所述基板的一表面上。
4.如權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第二封裝層包括:
第一膠層,設(shè)于所述氮化硅層上,并對(duì)應(yīng)于所述有機(jī)發(fā)光器件層;
第二膠層,設(shè)于所述氮化硅層上,并包圍所述第一膠層;
第三膠層,設(shè)于所述氮化硅層上,并包圍所述第二膠層;
其中,所述第二膠層中具有吸濕劑。
5.如權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述氮化硅層的寬度大于所述氧化硅層的寬度。
6.一種顯示面板的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
提供一基板;
在所述基板上形成有機(jī)發(fā)光器件層;
在所述有機(jī)發(fā)光器件層上形成第一封裝層;
在所述第一封裝層上形成第二封裝層;
其中,在所述有機(jī)發(fā)光器件層上形成第一封裝層步驟中包括:
在所述有機(jī)發(fā)光器件層上沉積一層氧化硅材料,形成氧化硅層;
在所述氧化硅層上沉積一層氮化硅材料,形成氮化硅層。
7.如權(quán)利要求6所述的顯示面板制備方法,其特征在于,在所述基板上形成有機(jī)發(fā)光器件層步驟中包括以下步驟:
在所述基板上通過(guò)蒸鍍法或噴墨打印法形成發(fā)光層;
在發(fā)光層上通過(guò)磁控濺射法或蒸鍍法形成陰極層。
8.如權(quán)利要求6所述的顯示面板制備方法,其特征在于,
在所述基板上形成OLED器件步驟后還包括以下步驟:
在所述OLED器件上通過(guò)蒸鍍法形成覆蓋層;
在所述第一封裝層上形成第二封裝層步驟前還包括以下步驟:
提供一蓋板。
9.如權(quán)利要求8所述的顯示面板制備方法,其特征在于,在所述第一封裝層上形成第二封裝層步驟中包括:
在所述蓋板上的邊緣依次形成第二膠層和第三膠層;
在所述第二膠層遠(yuǎn)離所述第二膠層的一側(cè)填充膠材,并通過(guò)真空壓合法將所述膠材貼合在所述第一封裝層上;
通過(guò)紫外光照射或加熱使膠材固化形成第一膠層。
10.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權(quán)利要求1-5中任意一項(xiàng)所述的顯示面板。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
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H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
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