[發(fā)明專利]三維存儲(chǔ)組件形成過程中階梯的蝕刻控制方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010400546.1
• 申請(qǐng)日: 2018-03-02
• 公開（公告）號(hào): CN111354733B
• 公開（公告）日: 2021-02-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 呂震宇;宋立東;李勇娜;潘鋒;戴曉望;劉丹;S·W·楊;S·S-N·楊
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01L27/11551
• 分類號(hào): H01L27/11551;H01L27/11578;H01L23/544;H01L21/68
• 代理公司: 北京永新同創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11376
• 代理人: 張殿慧;劉健

本文公開了一種三維存儲(chǔ)組件和用于控制三維存儲(chǔ)組件形成過程中的光阻修整速率的方法。在一實(shí)施例，該方法包括，在基底上形成絕緣體疊層，沿著第一方向測(cè)量第一修整標(biāo)記與該光阻層之間的第一距離，以及沿著第一方向修整光阻層。該方法還包括使用修整后的光阻層作為蝕刻掩模蝕刻絕緣體疊層以形成階梯，使用第一修整標(biāo)記作為蝕刻掩模形成第二修整標(biāo)記，以及測(cè)量第二修整標(biāo)記和修整后的光阻層之間的第二距離，將第一距離與第二距離進(jìn)行比較，以確定實(shí)際光阻修整速率與估計(jì)的光阻修整速率之間的差值，以及基于上述差值調(diào)整光阻修整參數(shù)。

本申請(qǐng)是申請(qǐng)日為2018年03月02日，發(fā)明名稱為“三維存儲(chǔ)組件形成過程中階梯的蝕刻控制方法”，申請(qǐng)?zhí)枮?01880005225.2的專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求享有于2017年3月8日提交的中專利申請(qǐng)No.201710134787.4的優(yōu)先權(quán)，其全部?jī)?nèi)容通過引用的方式并入本文。

技術(shù)領(lǐng)域

本揭露是關(guān)于一種三維存儲(chǔ)組件，以及控制三維存儲(chǔ)組件形成過程中的光阻(PR)修整速率的方法。

背景技術(shù)

通過改進(jìn)工藝技術(shù)、電路設(shè)計(jì)、算法和制造工藝等，使得平面存儲(chǔ)單元可以縮小至更小的尺寸。然而，隨著存儲(chǔ)單元的尺寸接近極限，平面存儲(chǔ)單元的工藝和制造技術(shù)變得具有挑戰(zhàn)性，且制作成本也逐漸提高。因此，平面記憶單元的儲(chǔ)存密度已經(jīng)逐漸接近上限。

三維(3D)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)可以解決平面存儲(chǔ)單元中的密度限制。三維存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)包括存儲(chǔ)數(shù)組，以及外圍設(shè)備，該外圍設(shè)備用于控制傳輸至存儲(chǔ)數(shù)組的信號(hào)以及存儲(chǔ)數(shù)組的輸出信號(hào)。

發(fā)明內(nèi)容

本文的各實(shí)施例揭露了三維存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)及其制造方法。

根據(jù)本揭露的一些實(shí)施例，本揭露提供一種控制光阻(PR)修整工藝中的PR修整速率的方法，包括：在基底的第一區(qū)域上方形成PR層，形成第一修整標(biāo)記在與第一區(qū)域相鄰的第二區(qū)域中。該方法還包含沿著與基底的頂面平行的第一方向，測(cè)量第一修整標(biāo)記與PR層之間的第一距離，以確定PR修整工藝中沿著第一方向的實(shí)際PR修整速率，將沿著第一方向的實(shí)際PR修整速率與沿著第一方向的估計(jì)PR修整速率進(jìn)行比較，以確定沿著第一方向的實(shí)際PR修整速率與沿著第一方向的估計(jì)PR修整速率之間的第一差值，以及基于第一差值，調(diào)整PR修整工藝中的一個(gè)或多個(gè)PR修整參數(shù)。

在一些實(shí)施例中，第一修整標(biāo)記系由第二區(qū)域內(nèi)的基底圖案化所形成。

在一些實(shí)施例中，第一修整標(biāo)記包括突起結(jié)構(gòu)和凹陷結(jié)構(gòu)中的一者或多者。

在一些實(shí)施例中，第一修整標(biāo)記的形狀包括矩形、圓形、不規(guī)則形狀、正方形及其組合。

在一些實(shí)施例中，此方法還包括：在第二區(qū)域上形成第二修整標(biāo)記，沿著平行基底的頂面的第二方向，測(cè)量第二修整標(biāo)記與PR層之間的第二距離，以確定PR修整工藝中沿著第二方向的實(shí)際PR修整速率。將沿著第二方向的實(shí)際PR修整速率與沿著第二方向的估計(jì)PR修整速率進(jìn)行比較，以確定沿著第二方向的實(shí)際PR修整速率與沿著第二方向的估計(jì)PR修整速率之間的第二差值，以及基于第二差值，調(diào)整PR修整工藝中的一個(gè)或多個(gè)PR修整參數(shù)。

在一些實(shí)施例中，第一方向和第二方向彼此不同。

在一些實(shí)施例中，第二修整標(biāo)記和第一修整標(biāo)記通過相同的圖案化工藝形成。

在一些實(shí)施例中，第二修整標(biāo)記和第一修整標(biāo)記具有相同或不同的形狀

在一些實(shí)施例中，第二區(qū)域包括平面和三維表面中的一者或多者。