[發明專利]存取閃存模塊的方法及相關的閃存控制器與電子裝置

在審

• 申請號: 202010399485.1
• 申請日: 2020-05-12
• 公開（公告）號: CN113495801A
• 公開（公告）日: 2021-10-12
• 發明（設計）人: 林瑜智
• 申請（專利權）人: 慧榮科技股份有限公司
• 主分類號: G06F11/10
• 分類號: G06F11/10;G06F12/02
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

本發明公開了一種存取一閃存模塊的方法，其中所述閃存模塊包括了至少一閃存芯片，每一個閃存芯片包括了多個區塊，每一個區塊包括多個數據頁，且所述方法包括有：提供一讀取重試表，其中所述讀取重試表記錄了多個讀取檔位，每一個讀取檔位對應到至少一讀取電壓、且任兩個讀取檔位不具有完全相同的讀取電壓；建立一讀取成功記錄表，其記錄了先前曾經被用來成功讀取所述閃存模塊的至少一特定讀取檔位；以及當需要讀取所述閃存模塊時，使用所述讀取成功記錄表所記錄的所述至少一個特定讀取檔位來讀取所述閃存模塊。本發明建立并更新讀取成功紀錄表，閃存控制器可快速找到適合的讀取檔位，因此改善系統效能。

技術領域

本發明關于閃存，尤指一種存取閃存模塊的方法及相關的閃存控制器與電子裝置。

背景技術

隨著低密度奇偶檢查碼(Low-density parity-check code，LDPC)的發展，閃存控制器中的錯誤更正碼(Error Correction Code，ECC)電路可以對具有更高位錯誤量/位錯誤率的數據進行錯誤更正，以成功地對數據進行解碼操作。然而，雖然錯誤更正碼電路的解碼能力提升了，但是當位錯誤量/位錯誤率高于一臨界值時，錯誤更正碼電路的處理速度會大幅下降，例如降低到約每秒20百萬字節(20MB/s)，因而嚴重影響到系統效能。

為了解決上述位錯誤量/位錯誤率過高而導致系統效能下降或是甚至無法成功解碼的問題，閃存模塊會提供多個讀取檔位，以使用不同的讀取電壓來讀取閃存模塊，以得到適合的數據(也就是說，可以成功解碼的數據或是具有較低位錯誤量/位錯誤率的數據)。然而，上述的讀取檔位隨著技術的發展變得越來越多，例如有50個讀取檔位，而若是依序嘗試這50個讀取檔位則會浪費許多讀取時間。在一例子中，在閃存模塊處于嚴苛環境下(例如高溫或低溫)，閃存模塊中的記憶單元的臨界電壓會具有較大的偏移量，因此閃存控制器往往需要試到第40～50個讀取檔位才能夠讀取到適合的數據，而使用之前40幾個讀取檔位來進行讀取操作的時間便都浪費掉了。

發明內容

因此，本發明的目的之一在于提出一種存取閃存模塊的方法及相關的閃存控制器與電子裝置，其可以快速地找到適合的讀取檔位，以避免現有技術中浪費許多時間在找尋適合讀取檔位的情形。

在本發明的一個實施例中，公開了一種閃存控制器，其中所述閃存控制器是用來存取一閃存模塊，所述閃存模塊包括了至少一閃存芯片，每一個閃存芯片包括了多個區塊，每一個區塊包括多個數據頁，且所述閃存控制器包括有一只讀存儲器、一微處理器以及一緩沖存儲器。所述只讀存儲器是用來存儲一程序代碼；所述微處理器用來執行所述程序代碼以控制對所述閃存模塊的存取；所述緩沖存儲器是用以存儲了一讀取重試表以及一讀取成功記錄表，其中所述讀取重試表記錄了多個讀取檔位，每一個讀取檔位對應到至少一讀取電壓、且任兩個讀取檔位不具有完全相同的讀取電壓；以及所述讀取成功記錄表記錄了先前曾經被用來成功讀取所述閃存模塊的至少一個特定讀取檔位；以及當所述微處理器需要讀取所述閃存模塊時，所述微處理器根據所述讀取成功記錄表所記錄的所述至少一個特定讀取檔位來讀取所述閃存模塊。

在本發明的一個實施例中，公開一種存取一閃存模塊的方法，其中所述閃存模塊包括了至少一閃存芯片，每一個閃存芯片包括了多個區塊，每一個區塊包括多個數據頁，且所述方法包括有：提供一讀取重試表，其中所述讀取重試表記錄了多個讀取檔位，每一個讀取檔位對應到至少一讀取電壓、且任兩個讀取檔位不具有完全相同的讀取電壓；建立一讀取成功記錄表，其記錄了先前曾經被用來成功讀取所述閃存模塊的至少一特定讀取檔位；以及當需要讀取所述閃存模塊時，使用所述讀取成功記錄表所記錄的所述至少一個特定讀取檔位來讀取所述閃存模塊。