[發明專利]負極材料、負極極片、電化學裝置和電子裝置

有效

• 申請號: 202010399078.0
• 申請日: 2020-05-12
• 公開（公告）號: CN111554902B
• 公開（公告）日: 2022-06-24
• 發明（設計）人: 張成波;謝遠森;魯宇浩
• 申請（專利權）人: 寧德新能源科技有限公司
• 主分類號: H01M4/36
• 分類號: H01M4/36;H01M4/38;H01M4/583;H01M4/587;H01M10/0525
• 代理公司: 北京天達共和律師事務所 11798
• 代理人: 關剛

1.一種負極材料，包括：

硅基材料和片狀碳氟化物；

其中，所述片狀碳氟化物的徑厚比大于2，所述片狀碳氟化物包括氟化硬碳或氟化軟碳中的至少一種；

其中，所述片狀碳氟化物的Dv50＝A，所述硅基材料的Dv50＝B，A/B1；

所述片狀碳氟化物的粒徑范圍滿足Dv50＜10μm，所述片狀碳氟化物中的氟元素的質量占所述負極材料的總質量的0.05％～15％。

2.根據權利要求1所述的負極材料，其中，所述片狀碳氟化物的質量占所述硅基材料和所述片狀碳氟化物的總質量的0.1％～20％。

3.根據權利要求1所述的負極材料，其中，所述硅基材料包括硅氧化物、硅、硅碳復合材料或硅合金中的至少一種。

4.根據權利要求3所述的負極材料，其中，所述硅基材料至少滿足如下之一：

所述硅氧化物的表面具有所述片狀碳氟化物；

所述硅氧化物的粒徑范圍滿足1μm＜Dv50＜10μm；

所述硅氧化物的比表面積小于10m²/g；

所述硅氧化物的通式為SiO_x，其中，0＜x＜2；

所述硅包括硅微米顆粒、硅納米顆粒、硅納米線或硅納米薄膜中的至少一種；

所述硅合金包括硅鐵合金、硅鋁合金、硅鎳合金或硅鐵鋁合金中的至少一種。

5.一種負極極片，包括：

集流體；

活性物質層，位于所述集流體上；

其中，所述活性物質層包括根據權利要求1至4中任一項所述的負極材料。

6.一種電化學裝置，包括：

正極極片；

負極極片；

隔離膜，設置于所述正極極片和所述負極極片之間；

其中，所述負極極片為根據權利要求5所述的負極極片。

7.一種電子裝置，包括根據權利要求6所述的電化學裝置。