[發明專利]一種適用于發熱涂層材料歐姆電極的制作方法有效
| 申請號: | 202010397246.2 | 申請日: | 2020-05-12 |
| 公開(公告)號: | CN111599669B | 公開(公告)日: | 2023-01-31 |
| 發明(設計)人: | 吳慎將;薛嘉隆;程軍霞;周文炳;李黨娟;張文斌;蘇俊宏 | 申請(專利權)人: | 西安工業大學 |
| 主分類號: | H01L21/288 | 分類號: | H01L21/288;H01L21/28 |
| 代理公司: | 西安新思維專利商標事務所有限公司 61114 | 代理人: | 黃秦芳 |
| 地址: | 710032 陜*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 適用于 發熱 涂層 材料 歐姆 電極 制作方法 | ||
1.一種適用于發熱涂層材料歐姆電極的制作方法,其特征在于:步驟為:
1)首先是對玻璃(SiO2)或者陶瓷(Al2O3)基底進行處理,使用低溫等離子體發生器,在真空條件下,對基底表面上需要制作歐姆電極的位置進行低溫等離子體轟擊,形成可控直徑、可控排列方式的微孔陣列;
2)對整個基底進行超聲清洗10min,清洗結束后用氮氣吹干;采用噴涂法或絲網印刷的方法,均勻涂上碳漿材料,使碳漿材料與基底充分接觸,在真空條件下,在20℃-300℃,按10min上升20℃的形式進行梯度加熱,形成穩定的碳基發熱涂層;
3)對已經烘干的碳涂層材料,在其電極制作區域,先均勻涂上一層99.99%的高純導電銀漿;將多芯銅絲附著在制作歐姆電極區域的小孔陣列區域內;再涂上一層導電銀漿后,整體放入真空室內,在20℃-300℃,按10min上升20℃的形式進行梯度加熱,即可。
2.根據權利要求1所述的一種適用于發熱涂層材料歐姆電極的制作方法,其特征在于:所述的步驟1)低溫等離子體發生器為感應耦合等離子體系統,在待處理的基底位置放置超微孔陣列的金屬板,其轟蝕氣體為Ar/SF6,Ar含量為20%;轟擊條件為:ICP功率為300-700w、RF功率為20-40w、反應壓強為0.4-1.6pa,轟擊時間為1 min;采用氮氣或者氦氣進行降溫,氦氣或者氮氣的流量為10-50ml/min,處理時間為20s至60s。
3.根據權利要求2所述的一種適用于發熱涂層材料歐姆電極的制作方法,其特征在于:所述的步驟1)低溫等離子體發生器為手持式等離子體發生器,其供應電源220-230V,最大輸入電流6A,功耗1300W,加工距離5-20mm。
4.根據權利要求2或3所述的一種適用于發熱涂層材料歐姆電極的制作方法,其特征在于:步驟2)中的碳漿材料的厚度為0.2mm-0.5mm;在真空環境下,分別在20℃至300℃,按20℃/10min溫度上升的形式進行梯度加熱。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





