[發明專利]一種平面超導納米橋結的制備方法有效
| 申請號： | 202010397024.0 | 申請日： | 2020-05-12 |
| 公開（公告）號： | CN111682096B | 公開（公告）日： | 2022-06-21 |
| 發明（設計）人： | 應利良;張雪;任潔;王鎮 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海微系統與信息技術研究所 |
| 主分類號： | H01L39/02 | 分類號： | H01L39/02;H01L39/24;B82Y40/00;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 上海泰能知識產權代理事務所(普通合伙) 31233 | 代理人： | 宋旭;黃志達 |
| 地址： | 200050 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 平面 超導 納米 制備 方法 | ||
1.一種納米橋結的制備方法，包括：
(1)在襯底表面進行光刻形成圖案，然后沉積金屬薄膜；
(2)利用離子束刻蝕完金屬，金屬沿著光刻膠形成側壁，去膠，即得納米橋；
(3)再沉積超導薄膜、光刻、刻蝕，即得納米橋結電極；其中納米橋結的寬度為超導側壁的厚度，長度為光刻形成的間隙。
2.根據權利要求1所述制備方法，其特征在于，所述步驟(1)中襯底為半導體襯底、絕緣體襯底。
3.根據權利要求1所述制備方法，其特征在于，所述半導體為Si、Ge、GaN中的一種或幾種；絕緣體為SiO2、Al2O3、HfO2中的一種或幾種。
4.根據權利要求1所述制備方法，其特征在于，所述步驟(1)中金屬為超導材料Nb、NbN、Pb、NbC、Nb3Sn、Nb3Ge中的一種或幾種，或者為Al、Au、Cu、合金中的一種。
5.根據權利要求1所述制備方法，其特征在于，所述步驟(1)中沉積金屬薄膜的沉積方式為：電子束蒸發或者磁控濺射；沉積金屬薄膜厚度為10nm-500nm。
6.根據權利要求1所述制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中離子束刻蝕具體為：IBE刻蝕角度在10-50度，離子束流在10-600mA。
7.根據權利要求1所述制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中側壁厚度為2nm-300nm。
8.根據權利要求1所述制備方法，其特征在于，所述步驟(3)中沉積超導薄膜中的超導材料為Nb、NbN、YBCO中的一種；薄膜厚度為10nm-500nm。
9.一種權利要求1所述方法制備的納米橋結，其特征在于，所述納米橋結的寬度為2nm-300nm，長度為20nm-1000nm。
10.一種基于權利要求1所述方法制備的集成納米橋接。
11.一種權利要求9所述納米橋結的應用。
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