[發(fā)明專利]用于電子器件的材料

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010391366.1
• 申請日: 2015-03-30
• 公開（公告）號: CN111689949A
• 公開（公告）日: 2020-09-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 埃米爾·侯賽因·帕勒姆;托比亞斯·格羅斯曼;安雅·雅提斯奇;托馬斯·埃伯利;喬納斯·瓦倫丁·克羅巴;克里斯托夫·普夫盧姆;拉斯·多貝爾曼
• 申請（專利權(quán)）人: 默克專利有限公司
• 主分類號: C07D405/14
• 分類號: C07D405/14;C07D409/14;C07D471/04;C07D487/04;C07D491/048;C07D495/04;C07D487/14;C07D471/22;C07D471/14;C07D491/056;C07D513/04;C07D491/052;C07D498/04
• 代理公司: 中原信達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219
• 代理人: 王潛;郭國清

1.一種通式(1)的化合物，

其中以下適用于所使用的符號和標(biāo)記：

ETG是來自缺電子雜芳族基團(tuán)的有機(jī)電子傳輸基團(tuán)，其中所述ETG選自三嗪、嘧啶、吡嗪、吡啶、喹唑啉、苯并咪唑、喹啉、異喹啉和萘啶；所述ETG可被一個(gè)或多個(gè)在每次出現(xiàn)時(shí)可相同或不同的基團(tuán)R¹取代；

W是傳導(dǎo)空穴的富電子有機(jī)基團(tuán)，其中W由式(W-1)限定，

其中U是N或CR¹，其中虛線表示從基團(tuán)W到環(huán)C的鍵；

V是O或S；

Y是表示具有6～60個(gè)環(huán)原子的芳族環(huán)系的二價(jià)橋連基；

n是0或1，其中n等于0是指所述ETG與環(huán)B通過單鍵彼此直接連接；

r是來自0、1、2或3的整數(shù)；

s是來自0、1、2或3的整數(shù)；

ETG中的R¹在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地為H，D，F(xiàn)，N(R²)₂，具有1～40個(gè)C原子的直鏈的烷基或烷氧基基團(tuán)或具有3～40個(gè)C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基基團(tuán)，所述基團(tuán)中的每個(gè)可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代，其中一個(gè)或多個(gè)H原子可被D或F代替，或具有6～60個(gè)芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系，所述環(huán)系在每種情況下可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代；兩個(gè)或更多個(gè)相鄰的基團(tuán)R¹此處可彼此形成單環(huán)或多環(huán)的脂族或芳族環(huán)系；

式(W-1)中的R¹在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地是H，D，F(xiàn)，N(R²)₂，CN，Si(R²)₃，B(OR²)₂，具有1～40個(gè)C原子的直鏈烷基基團(tuán)或具有3～40個(gè)C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基基團(tuán)，所述基團(tuán)中的每個(gè)可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代，其中一個(gè)或多個(gè)非相鄰的CH₂基團(tuán)可被R²C＝CR²、C≡C、Si(R²)₂、Ge(R²)₂、Sn(R²)₂、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR²、P(＝O)(R²)、SO、SO₂、NR²、O、S或CONR²代替，且其中一個(gè)或多個(gè)H原子可被D、F、Cl、Br、I、CN或NO₂代替，或具有5～60個(gè)芳族環(huán)原子的雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系在每種情況下可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代；兩個(gè)或更多個(gè)相鄰的基團(tuán)R¹此處可彼此形成單環(huán)或多環(huán)的脂族或芳族環(huán)系；

R²在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地為H，D，F(xiàn)，Cl，Br，I，N(R³)₂，CN，NO₂，Si(R³)₃，B(OR³)₂，C(＝O)R³，P(＝O)(R³)₂，S(＝O)R³，S(＝O)₂R³，OSO₂R³，具有1～40個(gè)C原子的直鏈的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基團(tuán)或具有2～40個(gè)C原子的直鏈的烯基或炔基基團(tuán)或具有3～40個(gè)C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基、烯基、炔基、烷氧基、烷基烷氧基或硫代烷氧基基團(tuán)，所述基團(tuán)中的每個(gè)可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R³取代，其中一個(gè)或多個(gè)非相鄰的CH₂基團(tuán)可被R³C＝CR³、C≡C、Si(R³)₂、Ge(R³)₂、Sn(R³)₂、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR³、P(＝O)(R³)、SO、SO₂、NR³、O、S或CONR³代替，且其中一個(gè)或多個(gè)H原子可被D、F、Cl、Br、I、CN或NO₂代替，或具有5～60個(gè)芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系在每種情況下可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R³取代，或具有5～60個(gè)芳族環(huán)原子的芳氧基、芳基烷氧基或雜芳氧基基團(tuán)，所述基團(tuán)可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R³取代，或具有10～40個(gè)芳族環(huán)原子的二芳基氨基基團(tuán)、二雜芳基氨基基團(tuán)或芳基雜芳基氨基基團(tuán)，所述基團(tuán)可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R³取代，或這些基團(tuán)中的兩種或更多種的組合；兩個(gè)或更多個(gè)相鄰的基團(tuán)R²此處可彼此形成單環(huán)或多環(huán)的脂族或芳族環(huán)系；

R³在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地為H，D，F(xiàn)，或具有1～20個(gè)C原子的脂族、芳族和/或雜芳族烴基團(tuán)，其中一個(gè)或多個(gè)H原子還可被F代替；兩個(gè)或更多個(gè)取代基R³此處還可彼此形成單環(huán)或多環(huán)的脂族或芳族環(huán)系；

R⁴、R⁵在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地為H，D，F(xiàn)，Cl，Br，I，N(R²)₂，CN，NO₂，Si(R²)₃，B(OR²)₂，C(＝O)R²，P(＝O)(R²)₂，S(＝O)R²，S(＝O)₂R²，OSO₂R²，具有1～40個(gè)C原子的直鏈的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基團(tuán)或具有2～40個(gè)C原子的直鏈的烯基或炔基基團(tuán)或具有3～40個(gè)C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基、烯基、炔基、烷氧基、烷基烷氧基或硫代烷氧基基團(tuán)。