[發(fā)明專(zhuān)利]熱電堆及其制作方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010389902.4 | 申請(qǐng)日： | 2020-05-09 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN111463340A | 公開(kāi)（公告）日： | 2020-07-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 周娜;雷雨瀟;李俊杰;盧一泓;高建峰;楊濤;李俊峰;王文武 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L35/02 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L35/02;H01L35/32;H01L35/34 |
| 代理公司： | 中科專(zhuān)利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人： | 孫蕾 |
| 地址： | 100029 *** | 國(guó)省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 熱電 及其 制作方法 | ||
1.一種熱電堆的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟1：在襯底正面形成熱電堆結(jié)構(gòu)；
步驟2：在熱電堆結(jié)構(gòu)上形成正面保護(hù)膜；
步驟3：在襯底背面形成掩膜層；
步驟4：采用干法刻蝕，在掩膜層上形成定位刻蝕窗口；
步驟5：采用濕法腐蝕，對(duì)定位刻蝕窗口區(qū)域的襯底進(jìn)行刻蝕釋放，形成完全釋放的背腔；
步驟6：采用氣態(tài)氫氟酸去除所述正面保護(hù)膜，得到保持完整的熱電堆結(jié)構(gòu)，完成熱電堆的制備。
2.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步驟1中，所述熱電堆結(jié)構(gòu)由下到上依次包括支撐層、多晶硅熱偶、氧化硅膜、電極和紅外吸收層；其中，所述熱電堆結(jié)構(gòu)的形成包括如下子步驟：
子步驟11：在襯底正面形成支撐層；
子步驟12：在支撐層上形成多晶硅熱偶；
子步驟13：在支撐層的裸露區(qū)和多晶硅熱偶上形成氧化硅膜；
子步驟14：在氧化硅膜上形成電極接觸孔，所述電極接觸孔延伸至所述多晶硅熱偶表面；
子步驟15：在具有電極接觸孔的氧化硅膜上形成金屬電極；
子步驟16：在具有電極的氧化硅膜上形成紅外吸收層；其中，所述紅外吸收層裸露電極的引出端區(qū)域。
3.如權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述子步驟11中，所述支撐層由襯底正面向上依次包括第一氧化硅層、氮化硅層和第二氧化硅層；
所述支撐層的淀積形成方法包括低壓化學(xué)氣相沉積法、快速熱化學(xué)氣相沉積法或者等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法；
所述第一氧化硅層的厚度為
所述第二氧化硅層的厚度為
4.如權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述子步驟12中，所述多晶硅熱偶的制備包括如下子步驟：
子步驟121：在所述支撐層上淀積多晶硅層；
子步驟122：利用光刻工藝形成圖形化的光刻膠；
子步驟123：以圖形化的光刻膠為掩膜，對(duì)所述多晶硅層進(jìn)行刻蝕；
子步驟124：去除光刻膠，形成多晶硅熱偶；
其中，所述多晶硅熱偶包括一個(gè)或者多個(gè)；
其中，每個(gè)所述多晶硅熱偶為P型、N型或者P/N型對(duì)；
其中，所述多晶硅熱偶包括矩形或者圓形；
其中，所述子步驟121中，所述多晶硅層的淀積形成方法包括低壓化學(xué)氣相沉積法、快速熱化學(xué)氣相沉積法或者等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法。
5.如權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于，
其中，所述子步驟13中，所述氧化硅膜的形成方法包括低壓化學(xué)氣相沉積法、快速熱化學(xué)氣相沉積法或者等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法；
其中，所述子步驟14中，所述電極接觸孔的制備包括如下子步驟：
子步驟141：利用光刻工藝形成圖形化的光刻膠；
子步驟142：以圖形化的光刻膠為掩膜，對(duì)所述氧化硅膜進(jìn)行刻蝕，使所述多晶硅熱偶表面裸露；
子步驟143：去除光刻膠，在所述氧化硅膜上形成電極接觸孔；
其中，所述子步驟15中，所述電極的制備包括如下子步驟：
子步驟151：在所述電極接觸孔和所述氧化硅膜上淀積形成金屬鋁層；
子步驟152：利用光刻工藝，在所述金屬鋁層上形成圖形化的光刻膠；
子步驟153：以圖形化的光刻膠為掩膜，對(duì)所述金屬鋁層進(jìn)行刻蝕；
子步驟154：去除光刻膠，形成電極；
所述子步驟16中，紅外吸收層的淀積形成方法包括低壓化學(xué)氣相沉積法、快速熱化學(xué)氣相沉積法或者等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法；
其中，紅外吸收層的材質(zhì)包括氮化硅。
6.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步驟2中，所述正面保護(hù)膜的淀積形成方法包括低壓化學(xué)氣相沉積法、快速熱化學(xué)氣相沉積法或者等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法；
其中，所述正面保護(hù)膜的材質(zhì)包括氧化硅；
其中，所述正面保護(hù)膜的厚度包括
其中，所述步驟3中，所述掩膜層的淀積形成方法包括低壓化學(xué)氣相沉積法、快速熱化學(xué)氣相沉積法或者等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法；
其中，所述掩膜層的材質(zhì)包括氧化硅。
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