[發明專利]半導體器件的制造方法、襯底處理裝置及記錄介質

在審

• 申請號: 202010384414.4
• 申請日: 2020-05-07
• 公開（公告）號: CN111986985A
• 公開（公告）日: 2020-11-24
• 發明（設計）人: 小倉慎太郎;原田和宏;大谷翔吾;本田剛一;梅本衛;下田和廣;吉野昭仁;北川直子;龜田賢治
• 申請（專利權）人: 株式會社國際電氣
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/67
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 楊宏軍

1.半導體器件的制造方法，其具有以規定次數進行包含以下工序的循環而在襯底上形成膜的工序：

(a)經由金屬制的第1配管向襯底處理裝置的處理容器內的襯底供給原料氣體的工序；

(b)經由在內表面連續形成有含氟層的金屬制的第2配管向所述處理容器內的所述襯底供給含氧氣體的工序；以及

(c)經由所述第2配管向所述處理容器內的所述襯底供給含氮及氫氣體的工序。

2.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，所述含氟層形成在所述第2配管的內表面以使得所述第2配管的原材料在所述第2配管內不露出。

3.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，所述含氟層的厚度為：使得在所述襯底上形成膜的工序中，在所述第2配管內，因所述含氧氣體與所述含氮及氫氣體的反應而產生的物質與所述第2配管的內表面不進行化學反應的程度的厚度。

4.根據權利要求3所述的半導體器件的制造方法，所述物質包含由所述含氧氣體與所述含氮及氫氣體的反應而產生的H₂O與所述含氮及氫氣體進行反應而產生的NH₄OH。

5.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，所述含氟層的厚度為1nm以上且50nm以下的范圍內的厚度。

6.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，所述含氟層為金屬氟化層。

7.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，在進行在所述襯底上形成膜的工序之前，還具有將在內表面連續形成有所述含氟層的金屬制的所述第2配管設置于所述襯底處理裝置的工序。

8.根據權利要求7所述的半導體器件的制造方法，在進行在所述襯底上形成膜的工序之前，還具有將未在內表面形成所述含氟層的金屬制的所述第1配管設置于所述襯底處理裝置的工序。

9.根據權利要求7所述的半導體器件的制造方法，在進行將所述第2配管設置于所述襯底處理裝置的工序之前，還具有在所述第2配管的內表面形成所述含氟層的工序。

10.根據權利要求9所述的半導體器件的制造方法，所述含氟層通過使含氟氣體與所述第2配管的內表面進行化學反應而形成。

11.根據權利要求10所述的半導體器件的制造方法，所述第2配管具有由第1材料構成的第1部和由第2材料構成的第2部，針對所述含氟層在所述第1部的內表面上的形成和所述含氟層在所述第2部的內表面上的形成，在使所述第1部與所述第2部分離的狀態下各自分別地在不同的條件下進行。

12.根據權利要求11所述的半導體器件的制造方法，所述第1材料包含Fe、Ni及Cr，所述第2材料包含Fe、Ni、Cr及Mo，

使在所述第1部的內表面上形成所述含氟層時的所述第1部的溫度低于在所述第2部的內表面上形成所述含氟層時的所述第2部的溫度。

13.根據權利要求11所述的半導體器件的制造方法，所述第1材料包含Fe、Ni及Cr，所述第2材料包含Fe、Ni、Cr及Mo，

使在所述第1部的內表面上形成所述含氟層時的所述含氟氣體的供給時間比在所述第2部的內表面上形成所述含氟層時的所述含氟氣體的供給時間長。

14.根據權利要求11所述的半導體器件的制造方法，在將所述第2配管設置于所述襯底處理裝置的狀態下，將所述第1部配置于與所述第2部相比更遠離所述處理容器的位置，將所述第2部配置于與所述第1部相比更接近所述處理容器的位置。

15.根據權利要求10所述的半導體器件的制造方法，所述含氟氣體包含F₂氣。