[發(fā)明專利]電子裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010382968.0 | 申請日: | 2020-05-08 |
| 公開(公告)號: | CN112018130A | 公開(公告)日: | 2020-12-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 樂瑞仁;李冠鋒 | 申請(專利權(quán))人: | 群創(chuàng)光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L27/15;G09F9/33 |
| 代理公司: | 北京科龍寰宇知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11139 | 代理人: | 侯奇慧 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電子 裝置 | ||
1.一種電子裝置,其特征在于,包括:
一基板;
形成在所述基板上的一第一輔助電極;
形成在所述第一輔助電極上的一有機(jī)層;
形成在所述有機(jī)層上的一第一無機(jī)層;
形成在所述第一無機(jī)層上的多個薄膜晶體管;以及
電連接到所述多個薄膜晶體管的多個電子單元,其中所述第一輔助電極電連接到多個電子單元中的至少兩個。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置,其特征在于,所述第一輔助電極傳送一恒定電壓至所述多個電子單元中的至少兩個。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置,其特征在于,還包括形成在所述第一輔助電極和所述基板之間的一第二無機(jī)層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置,其特征在于,還包括形成在所述第一輔助電極和所述有機(jī)層之間一的第二無機(jī)層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置,其特征在于,所述有機(jī)層的厚度在4μm至50μm的范圍內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置,其特征在于,所述多個薄膜晶體管中的其中一個包括一通道層,且所述通道層在所述基板的一表面的法線方向上不與所述第一輔助電極重疊。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電子裝置,其特征在于,所述多個薄膜晶體管中的其中一個是驅(qū)動元件。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置,其特征在于,所述第一輔助電極的厚度在1μm至6μm的范圍內(nèi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置,其特征在于,所述第一輔助電極包括選自銅、銀、金、鋁、鈦、鉬、鎢和鉻的材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置,其特征在于,所述第一輔助電極形成為線形結(jié)構(gòu)、網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)或線性結(jié)構(gòu)和網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的組合。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置,其特征在于,還包括形成在所述基板上的一第二輔助電極,其中所述第二輔助電極通過所述多個薄膜晶體管中的至少兩個電連接到所述多個電子單元中的至少兩個。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電子裝置,其特征在于,所述第二輔助電極與所述第一輔助電極電絕緣。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電子裝置,其特征在于,所述第一輔助電極提供一第一電壓,所述第二輔助電極提供一第二電壓,且所述第二電壓和所述第一電壓具有不同的電位。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置,其特征在于,所述有機(jī)層的至少一部分直接接觸所述基板。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置,其特征在于,所述多個電子單元是發(fā)光單元、天線單元、傳感器單元或發(fā)光單元、天線單元、傳感器單元至少兩者的組合。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置,其特征在于,還包括設(shè)置在所述第一無機(jī)層上的一共通電極,其中所述共通電極電連接到所述多個電子單元和所述第一輔助電極。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的電子裝置,其特征在于,還包括設(shè)置在所述有機(jī)層和所述第一無機(jī)層中的一導(dǎo)電通孔,其中所述導(dǎo)電通孔電連接到所述第一輔助電極和所述共通電極。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置,其特征在于,還包括與所述多個電子單元電連接的一連接電極。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置,其特征在于,所述多個電子單元中的其中一個包括倒裝型發(fā)光二極管或垂直型發(fā)光二極管。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置,其特征在于,形成在所述基板上的所述第一輔助電極的其中一部分被彎曲。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





