[發明專利]適用于硅異質結太陽電池制備的枚葉式真空薄膜沉積設備及其應用

在審

• 申請號: 202010380609.1
• 申請日: 2020-05-08
• 公開（公告）號: CN111540696A
• 公開（公告）日: 2020-08-14
• 發明（設計）人: 任棟樑;陳昌明;楊杰;李正平;劉超;徐小娜;周國平
• 申請（專利權）人: 熵熠(上海)能源科技有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L31/068;H01L31/072;H01L31/18
• 代理公司: 上海申匯專利代理有限公司 31001
• 代理人: 徐俊

1.一種適用于硅異質結太陽電池制備的枚葉式真空薄膜沉積設備，其特征在于，設備包括七個真空腔室，其中一個是轉換室(1)，另外六個是功能真空室；所述轉換室(1)為圓形，位于設備的中心；其余六個功能真空室為方形，以轉換室為中心，呈枚葉式分布于轉換室周圍；所述各功能真空室與轉換室之間用閘板閥相隔離，需要時開啟相應閘板閥，中心轉換室(1)中的機械手可以在真空狀態下，將被鍍樣品從某一真空室轉移到任意其它真空室中；所述各功能真空室都有前開方形門，均可獨立工作；所述樣品室為樣品裝載室，反過來亦可將其它功能真空室中被鍍膜的樣品回放到樣品室；所述六個功能真空室分別是一個樣品室(2)、三個PECVD室、一個磁控磁控濺射室(6)、一個電阻熱蒸發室(7)。

2.如權利要求1所述的適用于硅異質結太陽電池制備的枚葉式真空薄膜沉積設備，其特征在于，所述三個PECVD室分別為P型非晶硅PECVD沉積室(3)、本征非晶硅PECVD沉積室(4)、N型非晶硅PECVD沉積室(5)，對應地可用PECVD方法分別沉積異質結電池的硼摻雜P型非晶硅薄膜、本征非晶硅薄膜、磷摻雜N型非晶硅薄膜。

3.如權利要求1所述的適用于硅異質結太陽電池制備的枚葉式真空薄膜沉積設備，其特征在于，所述磁控濺射室可進行異質結電池的TCO層沉積。

4.如權利要求1所述的適用于硅異質結太陽電池制備的枚葉式真空薄膜沉積設備，其特征在于，所述電阻熱蒸發室可進行異質結電池的正面金屬電極和背面金屬電極的制備。

5.權利要求1～4任一項所述的適用于硅異質結太陽電池制備的枚葉式真空薄膜沉積設備在制備硅異質結電池中的應用。