[發(fā)明專利]磁記錄介質(zhì)和磁記錄再現(xiàn)裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010376998.0
• 申請日: 2020-05-07
• 公開（公告）號: CN111916114B
• 公開（公告）日: 2022-08-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 徐晨;張磊;福島隆之;柴田壽人;山口健洋;丹羽和也;茂智雄;根本廣明;梅本裕二;小柳浩
• 申請（專利權(quán)）人: 昭和電工株式會社
• 主分類號: G11B5/667
• 分類號: G11B5/667
• 代理公司: 北京林達劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

提供一種磁記錄介質(zhì)和磁記錄再現(xiàn)裝置，所述磁記錄介質(zhì)的特征在于，具有：基板；在所述基板之上形成的底層；及在所述底層之上形成的磁性層。所述磁性層包含具有L1₀結(jié)構(gòu)的合金。所述底層包含第1底層和第2底層，所述第1底層包含Mo和Ru，Ru的含量位于5at％～30at％的范圍內(nèi)，所述第2底層包含具有BCC結(jié)構(gòu)的材料。所述第2底層形成在所述第1底層和所述基板之間。所述磁記錄再現(xiàn)裝置具有所述磁記錄介質(zhì)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及磁記錄介質(zhì)和磁記錄再現(xiàn)(reproducing)裝置。

背景技術(shù)

近年，通過向磁記錄介質(zhì)照射近場光等以進行表面局部加熱，藉此使磁記錄介質(zhì)的矯頑力降低，進而對信息進行記錄的熱輔助記錄方式或微波輔助記錄方式，作為一種可實現(xiàn)1Tbit/inch²等級的表面記錄密度的下一代記錄方式，受到了廣泛的關(guān)注。

在使用熱輔助記錄方式或微波輔助記錄方式的情況下，即使是室溫下的矯頑力為數(shù)十kOe的磁記錄介質(zhì)，藉由磁頭的記錄磁場也可容易地對信息進行記錄。為此，磁記錄介質(zhì)中，磁性層可使用具有大約10⁶J/m³左右的高晶體磁各向異性常數(shù)(Ku)的材料(高Ku材料)，其結(jié)果為，不僅可維持熱穩(wěn)定性，而且還可將磁性顆粒的粒徑微細化至6nm以下。

作為高Ku材料，熟知一種具有FePt合金(Ku～7×10⁶J/m³)、CoPt合金(Ku～5×10⁶J/m³)等的L1₀結(jié)構(gòu)的合金。

在具備包含具有L1₀結(jié)構(gòu)的合金的磁性層的磁記錄介質(zhì)中，作為構(gòu)成底層的材料，使由具有Cr、W、Mo等的BCC結(jié)構(gòu)的材料、具有MgO等的NaCl型結(jié)構(gòu)的材料的情況較多。

例如，專利文獻1中，作為構(gòu)成從基板側(cè)開始的第1底層、第2底層、第3底層及第4底層的材料，分別使用了Cr合金、Cr合金、MoRu合金及MgO。

[現(xiàn)有技術(shù)文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1](日本)特開2013－157071號公報

發(fā)明內(nèi)容

[要解決的技術(shù)問題]

如前所述，在具備包含具有L1₀結(jié)構(gòu)的合金的磁性層的磁記錄介質(zhì)中，作為構(gòu)成底層的材料，使用具有Cr、W、Mo等的BCC結(jié)構(gòu)的材料、具有MgO等的NaCl型結(jié)構(gòu)的材料的情況較多。其理由為，進行了(100)配向的、具有BCC結(jié)構(gòu)或NaCl型結(jié)構(gòu)的材料與具有進行了(001)配向的L1₀結(jié)構(gòu)的合金之間的晶格匹配(lattice matching)較高。

然而，為了對包含具有L1₀結(jié)構(gòu)的合金的磁性層進行成膜，在對磁性層進行成膜之前需要對基板進行高溫加熱。此外，作為構(gòu)成底層的材料，如前所述，使用具有BCC結(jié)構(gòu)或NaCl型結(jié)構(gòu)的材料的情況較多，就這些材料而言，一般來說，融點較高，當(dāng)對底層進行成膜時，加熱的情況也較多。

但是，經(jīng)本發(fā)明的發(fā)明人的研究可知，對底層進行成膜時的加熱和對磁性層進行成膜之前的加熱會導(dǎo)致磁記錄介質(zhì)的表面光滑度下降，進而可引起波紋度(waviness)變大。

本發(fā)明的發(fā)明人認為其原因如下。