[發(fā)明專利]一種降低軟磁復(fù)合材料磁滯損耗的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010376507.2 | 申請日： | 2020-05-07 |
| 公開（公告）號： | CN111383836A | 公開（公告）日： | 2020-07-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 馮雙久;倪江利;胡鋒;闞緒材;劉先松;楊玉杰;呂慶榮;朱瑞威 | 申請（專利權(quán)）人： | 安徽大學(xué) |
| 主分類號： | H01F41/02 | 分類號： | H01F41/02;H01F27/255;H01F1/14;H01F1/147;H01F1/153;H01F13/00 |
| 代理公司： | 合肥匯融專利代理有限公司 34141 | 代理人： | 趙宗海 |
| 地址： | 230000 *** | 國省代碼： | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 降低 復(fù)合材料 損耗 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種降低軟磁復(fù)合材料磁滯損耗的方法，其特征在于，在所述軟磁復(fù)合材料上加上橫向磁場。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種降低軟磁復(fù)合材料磁滯損耗的方法，其特征在于，所述軟磁復(fù)合材料磁芯為鐵粉芯、FeSiAl粉芯、FeSi粉芯、FeSiCr粉芯或非晶納米晶粉芯。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種降低軟磁復(fù)合材料磁滯損耗的方法，其特征在于，所述橫向磁場由鐵氧體永磁塊或金屬永磁塊提供。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種降低軟磁復(fù)合材料磁滯損耗的方法，其特征在于，所述橫向磁場大小在50-400kA/m。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種降低軟磁復(fù)合材料磁滯損耗的方法，其特征在于，適用于電感或變壓器。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種降低軟磁復(fù)合材料磁滯損耗的方法，其特征在于，所述橫向磁場與交變磁場相互垂直。
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