[發(fā)明專利]一種太陽能電池組件、疊層太陽能電池及其制作方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010375904.8 | 申請(qǐng)日: | 2020-05-06 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111430384A | 公開(公告)日: | 2020-07-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 丁蕾;張鵬;張忠文;王永謙 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 通威太陽能(眉山)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/142 | 分類號(hào): | H01L27/142;H01L31/048;H01L31/0687;H01L31/0725;H01L31/074;H01L31/20;H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48 |
| 代理公司: | 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 付興奇 |
| 地址: | 620000 四川省*** | 國(guó)省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 太陽能電池 組件 及其 制作方法 | ||
1.一種疊層太陽能電池,其特征在于,包括:
作為頂電池的鈣鈦礦子電池,且所述鈣鈦礦子電池的正面通過第一透明導(dǎo)電層設(shè)置頂電極;
作為底電池的硅基子電池,所述硅基子電池的正面具有第一結(jié)合區(qū)域、位于所述第一結(jié)合區(qū)域外圍的第二結(jié)合區(qū)域,所述第一結(jié)合區(qū)域設(shè)置副電極,所述硅基子電池的背面通過第二透明導(dǎo)電層設(shè)置底電極;
隧穿結(jié),具有相對(duì)的頂表面和底表面,所述隧穿結(jié)被配置為以所述頂表面與所述鈣鈦礦子電池背面結(jié)合、以所述底表面與所述硅基子電池的第二結(jié)合區(qū)域結(jié)合,以使所述鈣鈦礦子電池與所述硅基子電池復(fù)合。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層太陽能電池,其特征在于,所述硅基子電池是同質(zhì)結(jié)電池或異質(zhì)結(jié)電池;
或者,所述硅基子電池是單結(jié)電池。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的疊層太陽能電池,其特征在于,在所述鈣鈦礦子電池中,鈣鈦礦材料的兩側(cè)分別設(shè)置空穴傳輸層和電子傳輸層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層太陽能電池,其特征在于,所述硅基子電池為異質(zhì)結(jié)電池,且具有依次層疊的N型非晶硅層、第一本征非晶硅層、N型晶體硅層、第二本征非晶硅層、P型非晶硅層,且所述硅基子電池以所述P型非晶硅層與所述隧穿結(jié)的底表面結(jié)合;
或者,所述硅基子電池為異質(zhì)結(jié)電池,且具有依次層疊的N型非晶硅層、第一本征非晶硅層、P型晶體硅層、第二本征非晶硅層、P型非晶硅層,且所述硅基子電池以所述P型非晶硅層與所述隧穿結(jié)的底表面結(jié)合。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的疊層太陽能電池,其特征在于,所述鈣鈦礦子電池具有依次層疊的電子傳輸層、鈣鈦礦層和空穴傳輸層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層太陽能電池,其特征在于,所述鈣鈦礦子電池中的鈣鈦礦材料是FA1-xCsxPbI3,其中0.1x0.3。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層太陽能電池,其特征在于,述頂電極、所述底電極以及所述副電極均為柵線電極;
或者,所述頂電極、所述底電極以及所述副電極分別獨(dú)立地使用銀、鈦銅合金或錫銅合金制作而成。
8.一種疊層太陽能電池的制作方法,其特征在于,包括:
提供經(jīng)過制絨、且背面和正面分別制作有本征非晶硅層的N型硅片,并在其中一個(gè)本征非晶硅層上制作P型非晶硅層、其中另一個(gè)本征非晶硅層上制作N型非晶硅層;
在所述N型非晶硅層上制作第一透明導(dǎo)電層,并在第一透明導(dǎo)電層上形成第一柵線電極;
分別在所述P型非晶硅層的第一區(qū)域上制作隧穿結(jié)、所述P型非晶硅層的第二區(qū)域制作第二透明導(dǎo)電層,并在第二透明導(dǎo)電層上形成第二柵線電極,其中所述第二區(qū)域位于所述第一區(qū)域的外圍;
在所述隧穿結(jié)之上依次疊層制作鈣鈦礦吸收層、空穴傳輸層以及第三透明導(dǎo)電層;
將第三柵線電極設(shè)置于所述第三透明導(dǎo)電層之上。
9.一種疊層太陽能電池的制作方法,其特征在于,包括:
提供經(jīng)過制絨、背面和正面分別制作有本征非晶硅層的N型硅片,并在其中一個(gè)本征非晶硅層上制作P型非晶硅層、其中另一個(gè)本征非晶硅層上制作N型非晶硅層;
將第一透明導(dǎo)電層形成在所述P型非晶硅層上,并在第一透明導(dǎo)電層上形成第一柵線電極;
分別在所述N型非晶硅層的第一區(qū)域上制作隧穿結(jié)、所述P型非晶硅層的第二區(qū)域制作第二透明導(dǎo)電層,并在第二透明導(dǎo)電層上形成第二柵線電極,其中所述第二區(qū)域位于所述第一區(qū)域的外圍;
在所述隧穿結(jié)之上依次疊層制作鈣鈦礦吸收層、電子傳輸層以及第三透明導(dǎo)電層;
將第三柵線電極設(shè)置于所述第三透明導(dǎo)電層之上。
10.一種太陽能電池組件,其特征在于,主要由邊框、由所述邊框約束的內(nèi)層結(jié)構(gòu)以及設(shè)置于所述邊框的接線盒構(gòu)成;
其中,所述內(nèi)層結(jié)構(gòu)包括:
片式的電池片陣列,由多個(gè)權(quán)利要求1至7中任意一項(xiàng)所述的疊層太陽能電池可選地串聯(lián)而成,所述電池片陣列的正極和負(fù)極分別引出連接于所述接線盒;
正面封裝層,包括依次疊置于所述電池片陣列正面的第一封裝介質(zhì)和第一玻璃;
背面封裝層,包括依次疊置于所述電池片陣列背面的第而封裝介質(zhì)和第二玻璃。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





