[發明專利]觸摸電容數據的調整方法及裝置、電子設備、存儲介質有效
| 申請號: | 202010375902.9 | 申請日: | 2020-05-06 |
| 公開(公告)號: | CN111522469B | 公開(公告)日: | 2021-08-20 |
| 發明(設計)人: | 閆俊超;姜鵬 | 申請(專利權)人: | 北京集創北方科技股份有限公司 |
| 主分類號: | G06F3/041 | 分類號: | G06F3/041;G06F3/044 |
| 代理公司: | 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 唐菲 |
| 地址: | 102600 北京市大興區北京經*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 觸摸 電容 數據 調整 方法 裝置 電子設備 存儲 介質 | ||
1.一種觸摸電容數據的調整方法,其特征在于,所述方法包括:
獲取觸摸電容數據;
根據配置的補償步長,計算將所述觸摸電容數據調整到目標值所需的補償電容值變化量;
判斷所述觸摸電容數據是否在非線性范圍;
根據判斷結果,利用所述補償電容值變化量執行相應的補償操作;
所述根據判斷結果,利用所述補償電容值變化量執行相應的補償操作,包括:如果所述觸摸電容數據在所述非線性范圍內,利用所述補償電容值變化量對當前補償電容值進行加速補償;
所述利用所述補償電容值變化量對當前補償電容值進行加速補償,包括:
按照公式CnegNew=CnegInitial+Y*ΔCnegValue計算目標補償電容值;其中,CnegNew表示所述目標補償電容值,CnegInitial表示當前補償電容值,ΔCnegValue表示補償電容值變化量,Y為根據補償電容值與所述觸摸電容數據的對應關系配置的參數;
將所述目標補償電容值寫入補償電容地址。
2.根據權利要求1所述的觸摸電容數據的調整方法,其特征在于,所述根據判斷結果,利用所述補償電容值變化量執行相應的補償操作,包括:
如果所述觸摸電容數據不在所述非線性范圍內,利用所述補償電容值變化量對當前補償電容值進行線性補償。
3.根據權利要求2所述的觸摸電容數據的調整方法,其特征在于,所述利用所述補償電容值變化量對當前補償電容值進行線性補償,包括:
按照公式CnegNew=CnegInitial+ΔCnegValue計算目標補償電容值;其中,CnegNew表示所述目標補償電容值,CnegInitial表示當前補償電容值,ΔCnegValue表示補償電容值變化量;
將所述目標補償電容值寫入補償電容地址。
4.根據權利要求1所述的觸摸電容數據的調整方法,其特征在于,所述根據配置的補償步長,計算將所述觸摸電容數據調整到目標值所需的補償電容值變化量,包括:
獲取預設的目標值;
計算所述觸摸電容數據與所述目標值之差,得到觸摸電容差值;
根據配置的補償步長,將所述觸摸電容差值除以所述補償步長,得到所述補償電容值變化量。
5.根據權利要求1所述的觸摸電容數據的調整方法,其特征在于,所述判斷所述觸摸電容數據是否在非線性范圍之前,所述方法還包括:
獲取所述觸摸電容數據的飽和值;
根據所述飽和值,計算所述觸摸電容數據的非線性范圍。
6.據權利要求1所述的觸摸電容數據的調整方法,其特征在于,所述判斷所述觸摸電容數據是否在非線性范圍,包括:
判斷所述觸摸電容數據是否落在區間(RawSatur–X*CnegStep,RawSatur)內;
其中,RawSatur表示飽和值,CnegStep表示所述補償步長,X為根據補償電容值與所述觸摸電容數據的對應關系配置的參數。
7.根據權利要求1所述的觸摸電容數據的調整方法,其特征在于,所述根據判斷結果,利用所述補償電容值變化量執行相應的補償操作之后,所述方法還包括:
根據配置的自動補償重復次數,重復執行觸摸電容數據的獲取以及補償操作。
8.根據權利要求7所述的觸摸電容數據的調整方法,其特征在于,所述根據配置的自動補償重復次數,重復執行觸摸電容數據的獲取以及補償操作,包括:
除最后一次外,每次執行補償操作時,根據當前補償電容值與所述觸摸電容數據的對應關系,重新配置所述非線性范圍和補償程度;
最后一次執行補償操作時,對當前補償電容值進行線性補償。
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