[發(fā)明專利]一種近閾值電平轉(zhuǎn)換器在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010375730.5 | 申請(qǐng)日： | 2020-05-07 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN111478693A | 公開（公告）日： | 2020-07-31 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 喬樹山;袁甲;胡曉宇;于增輝;凌康 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 北京中科芯蕊科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H03K19/0185 | 分類號(hào)： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 北京高沃律師事務(wù)所 11569 | 代理人： | 杜陽陽 |
| 地址： | 100092 北京市海*** | 國(guó)省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 閾值 電平 轉(zhuǎn)換器 | ||
1.一種近閾值電平轉(zhuǎn)換器，其特征在于，包括：低電壓反相器、威爾遜電流鏡、第一級(jí)輸出反相器和第二級(jí)輸出反相器；所述低電壓反相器與低電壓電源連接，所述威爾遜電流鏡、所述第一級(jí)輸出反相器和所述第二級(jí)輸出反相器均與高電壓電源連接；所述低電壓反相器的輸入端和所述威爾遜電流鏡的第一輸入端均與輸入電平信號(hào)連接；所述低電壓反相器的輸出端與所述威爾遜電流鏡的第二輸入端連接；所述威爾遜電流鏡的輸出端與所述第一級(jí)輸出反相器的輸入端連接；所述第一級(jí)輸出反相器的輸出端與所述第二級(jí)輸出反相器的輸入端連接；所述第二級(jí)輸出反相器的輸出端為所述近閾值電平轉(zhuǎn)換器的輸出端；
所述第一級(jí)輸出反相器包括：第一反相電路和第五PMOS管；所述第五PMOS管的源極和柵極均與所述高電源電壓連接；所述第五PMOS管的漏極與所述第一反相電路的第一端連接；所述第一反相電路的第二端與所述威爾遜電流鏡的輸出端連接；所述第一反相電路的第三端與所述第二級(jí)輸出反相器的輸入端連接；
所述第二級(jí)輸出反相器包括：第二反相電路和第七PMOS管；所述第七PMOS管的源極和所述第二反相電路均與所述高電源電壓連接；所述第七PMOS管的漏極和所述第二反相電路的第一端均與所述第一反相電路的第三端連接；所述第七PMOS管的柵極和所述第二反相電路的第二端連接，所述第七PMOS管的柵極和所述第二反相電路的第二端為所述近閾值電平轉(zhuǎn)換器的輸出端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種近閾值電平轉(zhuǎn)換器，其特征在于，所述低電壓反向器包括：第一PMOS管和第一NMOS管；所述第一PMOS管的柵極和所述第一NMOS管的柵極均與所述輸入電平信號(hào)連接；所述第一PMOS管的源極與所述低電源電壓連接；所述第一PMOS管的漏極和所述第一NMOS管的漏極均與所述威爾遜電流鏡的第二輸入端連接；所述第一NMOS管的源極接地。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種近閾值電平轉(zhuǎn)換器，其特征在于，所述威爾遜電流鏡包括：PMOS管電路和NMOS管電路；所述PMOS管電路與所述高電源電壓連接；所述PMOS管電路的第一端與所述NMOS管電路的第一端連接；所述PMOS管電路的第二端分別與所述NMOS管電路的第二端和所述第一反相電路的第二端連接；所述NMOS管電路的第三端與所述輸入電平信號(hào)連接；所述NMOS管電路的第四端與所述低電壓反向器的輸出端連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種近閾值電平轉(zhuǎn)換器，其特征在于，所述第一反相電路包括：第六PMOS管和第四NMOS管；所述第五PMOS管的漏極與所述第六PMOS管的源極連接；所述第六PMOS管的柵極和所述第四NMOS管的柵極均與所述威爾遜電流鏡的輸出端連接；所述第六PMOS管的漏極和所述第四NMOS管的漏極均與所述第二反相電路的第一端連接；所述第四NMOS管的源極接地。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種近閾值電平轉(zhuǎn)換器，其特征在于，所述第二反相電路包括：第八PMOS管和第五NMOS管；所述第七PMOS管的漏極、所述第八PMOS管的柵極和所述第五NMOS管的柵極均與所述第一反相電路的第三端連接；所述第八PMOS管的源極與所述高電源電壓連接；所述第八PMOS管的漏極和所述第五NMOS管的漏極連接，所述第八PMOS管的漏極和所述第五NMOS管的漏極為所述近閾值電平轉(zhuǎn)換器的輸出端；所述第五NMOS管的源極接地。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種近閾值電平轉(zhuǎn)換器，其特征在于，所述PMOS管電路包括：第二PMOS管、第三PMOS管和第四PMOS管；所述第二PMOS管的源極和所述第三PMOS管的源極均與所述高電源電壓連接；所述第二PMOS管的柵極、所述第二PMOS管的漏極和所述第三PMOS管的柵極均與所述第四PMOS管的源極連接；所述第三PMOS管的漏極、所述第四PMOS管的柵極和所述NMOS管的第二端均與所述第一反相電路的第二端連接；所述第四PMOS管的漏極與所述NMOS管的第一端連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種近閾值電平轉(zhuǎn)換器，其特征在于，所述NMOS管電路包括：第二NMOS管和第三NMOS管；所述第二NMOS管的柵極與所述輸入電平信號(hào)連接；所述第二NMOS管的漏極與所述PMOS管電路的第一端連接；所述第二NMOS管的源極接地；所述第三NMOS管的柵極與所述低電壓反相器的輸出端連接；所述第三NMOS管的漏極與所述PMOS管電路的第二端連接；所述第三NMOS管的源極接地。
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