[發(fā)明專(zhuān)利]一種提高鈣鈦礦量子點(diǎn)薄膜偏振度的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010375323.4 | 申請(qǐng)日: | 2020-05-07 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111710590A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-09-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳軍;馬騰;韋奕;曲華松;曾海波 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 南京理工大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/02 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/02 |
| 代理公司: | 南京蘇創(chuàng)專(zhuān)利代理事務(wù)所(普通合伙) 32273 | 代理人: | 鳳婷 |
| 地址: | 210000 江*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 提高 鈣鈦礦 量子 薄膜 偏振 方法 | ||
1.一種提高鈣鈦礦量子點(diǎn)薄膜偏振度的方法,其特征在于:在不改變外在條件的前提下,基于激光直寫(xiě)技術(shù)來(lái)刻蝕鈣鈦礦量子點(diǎn)薄膜,以提高其偏振度,具體包括以下步驟:
步驟1:清洗基片;
步驟2:將步驟1中清洗后的基片烘干后,放入U(xiǎn)V O3清洗機(jī)中繼續(xù)清洗;
步驟3:將步驟2清洗后的基片放在制膜設(shè)備上,并用鈣鈦礦量子點(diǎn)材料在清洗后的基片上制備薄膜,得到鈣鈦礦量子點(diǎn)薄膜;
步驟4:激光直寫(xiě)掃描鈣鈦礦量子點(diǎn)薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高鈣鈦礦量子點(diǎn)薄膜偏振度的方法,其特征在于:所述步驟1中使用超聲清洗機(jī)清洗基片,具體包括以下操作步驟:
步驟1.1:將基片置于添加有洗滌劑的容器內(nèi),
步驟1.2:容器置于超聲清洗機(jī)中,并在超聲清洗機(jī)中加入一定量的水,
步驟1.3:打開(kāi)超聲清洗機(jī)對(duì)基片進(jìn)行超聲清洗。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高鈣鈦礦量子點(diǎn)薄膜偏振度的方法,其特征在于:所述步驟4的具體操作步驟如下:
步驟4.1:使用三維電動(dòng)位移臺(tái)控制軟件,根據(jù)預(yù)定設(shè)計(jì)的圖形來(lái)編輯平移臺(tái)移動(dòng)路徑及速度,
步驟4.2:將步驟3制備的鈣鈦礦量子點(diǎn)薄膜放置在三維電動(dòng)位移臺(tái)上,
步驟4.3:通過(guò)三維電動(dòng)位移臺(tái)控制軟件控制鈣鈦礦量子點(diǎn)薄膜移動(dòng)到設(shè)定的起始位置,
步驟4.4:打開(kāi)并設(shè)置激光器,調(diào)整激光能量,
步驟4.5:激光器發(fā)出的激光被反射鏡反射,將光路引入光學(xué)顯微鏡,之后通過(guò)光學(xué)顯微鏡內(nèi)部的聚焦物鏡將激光聚焦在鈣鈦礦量子點(diǎn)薄膜的表面,
步驟4.6:通過(guò)三維電動(dòng)位移臺(tái)控制軟件控制三維電動(dòng)位移臺(tái)的移動(dòng)路徑和速度,使激光在鈣鈦礦量子點(diǎn)薄膜上刻蝕出預(yù)定的刻線(xiàn);
所述三維電動(dòng)位移臺(tái)與所述光學(xué)顯微鏡集成于一體,光學(xué)顯微鏡內(nèi)部集成有所述聚焦物鏡和CCD相機(jī),且所述三維電動(dòng)位移臺(tái)由計(jì)算機(jī)編程的三維電動(dòng)位移臺(tái)控制軟件控制。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高鈣鈦礦量子點(diǎn)薄膜偏振度的方法,其特征在于:步驟1中所述基片為石英玻璃片,步驟2中所述UV O3清洗的清洗時(shí)間為15分鐘,步驟3中所述制膜設(shè)備為勻膠機(jī),且勻膠機(jī)參數(shù)設(shè)置為轉(zhuǎn)速3000轉(zhuǎn)/分鐘,時(shí)間45秒。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的提高鈣鈦礦量子點(diǎn)薄膜偏振度的方法,其特征在于:步驟1.1中所述洗滌劑為丙酮溶液,步驟1.3中所述超聲清洗時(shí)間為30分鐘。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的提高鈣鈦礦量子點(diǎn)薄膜偏振度的方法,其特征在于:步驟4中所述激光器發(fā)出的激光為405nm連續(xù)激光,所述聚焦物鏡的倍率為×50,NA0.5,鈣鈦礦量子點(diǎn)為CsPbClBr2。
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于南京理工大學(xué),未經(jīng)南京理工大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010375323.4/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





