[發明專利]用于圖案化表面上覆層的方法和包括圖案化覆層的裝置

在審

• 申請號: 202010375262.1
• 申請日: 2016-10-26
• 公開（公告）號: CN111628101A
• 公開（公告）日: 2020-09-04
• 發明（設計）人: Y-L·常;Q·王;M·赫蘭德;J·邱;Z·王;T·雷夫
• 申請（專利權）人: OTI照明公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56;H01L27/32;C09D5/24;C09D7/61;C09D7/63;C09K11/06;G02B1/18
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 張全信

1.光電子裝置，其包括：

襯底；

覆蓋所述襯底的第一區域的成核抑制覆層；和

包括第一部分和第二部分的傳導性覆層，所述傳導性覆層的第一部分覆蓋所述襯底的第二區域，并且所述傳導性覆層的第二部分與所述成核抑制覆層部分地重疊，

其中所述傳導性覆層的第二部分通過間隙與所述成核抑制覆層分隔開。

2.權利要求1所述的光電子裝置，其中所述傳導性覆層的第二部分在所述成核抑制覆層的重疊部分之上延伸，并且通過所述間隙與所述成核抑制覆層的重疊部分分隔開。

3.權利要求2所述的光電子裝置，其中所述成核抑制覆層的另一部分從所述傳導性覆層暴露。

4.權利要求1所述的光電子裝置，其中所述傳導性覆層進一步包括與所述成核抑制覆層接觸的第三部分，并且所述傳導性覆層的第三部分的厚度不大于所述傳導性覆層的第一部分的厚度的5％。

5.權利要求4所述的光電子裝置，其中所述傳導性覆層的第二部分在所述傳導性覆層的第三部分之上延伸，并且與所述傳導性覆層的第三部分分隔開。

6.權利要求1所述的光電子裝置，其中所述傳導性覆層進一步包括安置在所述傳導性覆層的第一部分和所述傳導性覆層的第二部分之間的第三部分，并且所述傳導性覆層的第三部分與所述成核抑制覆層接觸。

7.權利要求1所述的光電子裝置，其中所述傳導性覆層進一步包括與所述成核抑制覆層接觸的第三部分，并且所述傳導性覆層的第三部分在所述成核抑制覆層的表面上包括斷連的簇。

8.權利要求1所述的光電子裝置，其中所述傳導性覆層包括鎂。

9.權利要求1所述的光電子裝置，其中所述成核抑制覆層被表征為具有不大于0.02的對于所述傳導性覆層的材料的初始粘著概率。

10.權利要求1所述的光電子裝置，其中所述成核抑制覆層包括有機分子，其每個包括核心部分和結合至所述核心部分的末端部分，并且所述末端部分包括聯苯基部分、苯基部分、芴部分或亞苯基部分。