[發明專利]疊層結構和電子裝置

在審

• 申請號: 202010373346.1
• 申請日: 2020-05-06
• 公開（公告）號: CN111916470A
• 公開（公告）日: 2020-11-10
• 發明（設計）人: 陳嘉源;蔡宗翰;李冠鋒
• 申請（專利權）人: 群創光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L27/02
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 駱希聰

1.一種疊層結構，包括：

一發光層，包括一發光二極管；

一第一層，包括一第一薄膜晶體管電路；以及

一第二層，包括一第二薄膜晶體管電路、位于該發光層和該第一層之間、且該第二薄膜晶體管電路包括一通道區；

其中在該疊層結構的一俯視方向上，該發光二極管與該第一薄膜晶體管電路至少部分重疊且不與該第二薄膜晶體管電路的該通道區重疊。

2.如權利要求1所述的疊層結構，其特征在于，該第一薄膜晶體管電路更包括多個第一薄膜晶體管。

3.如權利要求2所述的疊層結構，更包括：

一金屬層，設置于該第一層下，其中該金屬層與該多個第一薄膜晶體管重疊。

4.如權利要求1所述的疊層結構，其特征在于，該第一薄膜晶體管電路更包括多個第一薄膜晶體管，該第二薄膜晶體管電路更包括多個第二薄膜晶體管，且該多個第一薄膜晶體管的數量大于該多個第二薄膜晶體管的數量。

5.如權利要求1所述的疊層結構，其特征在于，該第一薄膜晶體管電路更包括一通道區，且在該疊層結構的該俯視方向上，該發光二極管與該第一薄膜晶體管電路的該通道區至少部分重疊。

6.如權利要求5所述的疊層結構，其特征在于，沿該疊層結構的該俯視方向，該發光二極管與該第一薄膜晶體管電路的該通道區之間的一距離大于2μm。

7.如權利要求1所述的疊層結構，其特征在于，該發光二極管借由一轉移法設置于該發光層中。

8.如權利要求1所述的疊層結構，更包括：

一傳感器，設置于該第二層上，其中該傳感器電性連接至該第二薄膜晶體管電路。

9.如權利要求1所述的疊層結構，其特征在于，該第二薄膜晶體管電路更包括多個第二薄膜晶體管。

10.如權利要求1所述的疊層結構，其特征在于，該第一薄膜晶體管電路包括一通道區，且其中該第一薄膜晶體管電路的該通道區的一材料不同于該第二薄膜晶體管電路的該通道區的一材料。

11.一種電子裝置，包括：

多個像素，且該多個像素中的至少一者包括一疊層結構，其包括：

一發光層，包括一發光二極管；

一第一層，包括一第一薄膜晶體管電路；以及

一第二層，包括一第二薄膜晶體管電路、位于該發光層和該第一層之間、且該第二薄膜晶體管電路包括一通道區；

其中在該疊層結構的一俯視方向上，該發光二極管與該第一薄膜晶體管電路至少部分重疊且不與該第二薄膜晶體管電路的該通道區重疊。

12.如權利要求11所述的電子裝置，其特征在于，該第一薄膜晶體管電路更包括多個第一薄膜晶體管。

13.如權利要求12所述的電子裝置，更包括：

一金屬層，設置于該第一層下，其中該金屬層與該多個第一薄膜晶體管重疊。

14.如權利要求11所述的電子裝置，其特征在于，該第一薄膜晶體管電路更包括多個第一薄膜晶體管，該第二薄膜晶體管電路更包括多個第二薄膜晶體管，且該多個第一薄膜晶體管的數量大于該多個第二薄膜晶體管的數量。

15.如權利要求11所述的電子裝置，其特征在于，該第一薄膜晶體管電路更包括一通道區，且在該疊層結構的該俯視方向上，該發光二極管與該第一薄膜晶體管電路的該通道區至少部分重疊。

16.如權利要求15所述的電子裝置，其特征在于，沿該疊層結構的該俯視方向，該發光二極管與該第一薄膜晶體管電路的該通道區之間的一距離大于2μm。