[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝裝置和半導(dǎo)體封裝裝置制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010373312.2
• 申請(qǐng)日: 2020-05-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113629018A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-11-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李森陽(yáng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 訊芯電子科技（中山）有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/31
• 分類號(hào): H01L23/31;H01L23/498;H01L23/495
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44334
• 代理人: 饒婕;薛曉偉

1.一種半導(dǎo)體封裝裝置，其特征在于，包括：

導(dǎo)熱載板，具有線路層，所述導(dǎo)熱載板的底部具有與所述線路層連接的焊球；

導(dǎo)電元件，形成于所述線路層上；

絕緣層，形成于所述導(dǎo)熱載板上，并露出所述導(dǎo)電元件；及

芯片，設(shè)置于所述導(dǎo)電元件上。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其特征在于，所述芯片具有凸點(diǎn)，所述凸點(diǎn)與所述導(dǎo)電元件電性連接。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其特征在于，所述導(dǎo)電元件沿既定延伸線延伸，所述既定延伸線通過(guò)所述凸點(diǎn)、所述導(dǎo)電元件、所述線路層以及所述焊球。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其特征在于，所述凸點(diǎn)、所述導(dǎo)電元件以及所述焊球皆位于所述線路層以所述既定延伸線的延伸方向的投影區(qū)域內(nèi)。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其特征在于，所述芯片為微機(jī)電系統(tǒng)。

6.一種半導(dǎo)體封裝裝置制造方法，其特征在于，包括：

提供導(dǎo)熱載板，所述導(dǎo)熱載板，具有線路層，所述線路層具有第一表面以及與所述第一表面相對(duì)的第二表面；

蝕刻所述導(dǎo)熱載板以露出所述第一表面；

設(shè)置導(dǎo)電元件于所述第一表面，所述導(dǎo)電元件具有導(dǎo)電頂面；

形成絕緣層以覆蓋所述導(dǎo)熱載板以及所述導(dǎo)電元件；

研磨所述絕緣層以露出所述導(dǎo)電頂面；

設(shè)置芯片于所述導(dǎo)電頂面；

蝕刻所述導(dǎo)熱載板以露出所述第二表面；及

設(shè)置焊球以與所述線路層連接。

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝裝置制造方法，其特征在于，所述芯片具有凸點(diǎn)，所述凸點(diǎn)與所述導(dǎo)電元件電性連接。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝裝置制造方法，其特征在于，所述導(dǎo)電元件沿既定延伸線延伸，所述既定延伸線通過(guò)所述凸點(diǎn)、所述導(dǎo)電元件、所述線路層以及所述焊球。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝裝置制造方法，其特征在于，所述凸點(diǎn)、所述導(dǎo)電元件以及所述焊球皆位于所述線路層以所述既定延伸線的延伸方向的投影區(qū)域內(nèi)。

10.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝裝置制造方法，其特征在于，所述芯片為微機(jī)電系統(tǒng)。