[發(fā)明專利]增強(qiáng)光吸收的結(jié)構(gòu)及系統(tǒng)

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010370740.X
• 申請(qǐng)日: 2020-05-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111522082A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-08-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 不公告發(fā)明人
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中山科立特光電科技有限公司
• 主分類號(hào): G02B5/00
• 分類號(hào): G02B5/00
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種增強(qiáng)光吸收的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述結(jié)構(gòu)包括，基底、介質(zhì)層、金屬層和增強(qiáng)層，所述基底、介質(zhì)層、金屬層由下到上依次排列，所述金屬層的表面積小于所述所述介質(zhì)層的表面積，所述增強(qiáng)層相對(duì)于所述金屬層所在平面傾斜設(shè)置，且所述增強(qiáng)層的一端與所述金屬層的一端連接，所述所述增強(qiáng)層與所述金屬層之間的夾角為20度-40度，所述增強(qiáng)層與所述金屬層形成錐形的開(kāi)放空間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增強(qiáng)光吸收的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述增強(qiáng)層在垂直于所述金屬層方向上的投影的長(zhǎng)度比所述金屬層在垂直于所述金屬層方向投影的長(zhǎng)度大20納米-60納米。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增強(qiáng)光吸收的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基底材料為金或銀中的任意一種，所述介質(zhì)層材料為二氧化硅或三氧化二鋁中的任意一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的增強(qiáng)光吸收的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬層材料為金或銀中任意一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的增強(qiáng)光吸收的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述增強(qiáng)層材料為金或銀中任意一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任意一項(xiàng)所述的增強(qiáng)光吸收的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述增強(qiáng)層上周期性設(shè)置多個(gè)凹槽。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的增強(qiáng)光吸收的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述結(jié)構(gòu)還包括第二介質(zhì)層，所述第二介質(zhì)層填充在所述增強(qiáng)層與所述金屬層形成錐形的開(kāi)放空間內(nèi)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的增強(qiáng)光吸收的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二介質(zhì)層材料為二氧化硅或三氧化二鋁中的任意一種。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的增強(qiáng)光吸收的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述增強(qiáng)層為周期性金屬條。

10.一種增強(qiáng)光吸收的系統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)包括：基層和多個(gè)權(quán)利要求1-9任意一項(xiàng)所述的增強(qiáng)光吸收的結(jié)構(gòu)，多個(gè)所述增強(qiáng)光吸收的結(jié)構(gòu)周期設(shè)置在所述基層的一側(cè)。