[發(fā)明專利]一種包含氮化硅減反射層的硅異質(zhì)結(jié)太陽電池及制備方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202010368808.0
• 申請日: 2020-05-02
• 公開（公告）號: CN111416012A
• 公開（公告）日: 2020-07-14
• 發(fā)明（設計）人: 劉超;李正平;楊杰;任棟樑;陳昌明;徐小娜;周國平
• 申請（專利權(quán)）人: 熵熠(上海)能源科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0747
• 分類號: H01L31/0747;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/18
• 代理公司: 上海申匯專利代理有限公司 31001
• 代理人: 徐俊

1.一種包含氮化硅減反射層的硅異質(zhì)結(jié)太陽電池，其特征在于，以n型單晶硅片(1)為襯底，在襯底的正面由內(nèi)至外依次設有正面非晶硅本征層(2)、p型非晶硅發(fā)射極層(3)、正面透明導電氧化物介質(zhì)層(4)、氮化硅減反射層(5)和正面金屬柵線電極(6)；在襯底的背面由內(nèi)至外依次設有背面非晶硅本征層(7)、n型非晶硅背電場層(8)、背面透明導電氧化物介質(zhì)層(9)、背面金屬柵線電極(10)。

2.如權(quán)利要求1所述的硅異質(zhì)結(jié)太陽電池，其特征在于，所述的n型單晶硅片(1)采用工業(yè)級晶向為(100)的n型Cz單晶硅片。

3.如權(quán)利要求1所述的硅異質(zhì)結(jié)太陽電池，其特征在于，所述的氮化硅減反射層(5)為氫化氮化硅薄膜。

4.如權(quán)利要求1所述的硅異質(zhì)結(jié)太陽電池，其特征在于，所述的正面透明導電氧化物介質(zhì)層(4)為摻錫氧化銦薄膜或摻鎢氧化銦薄膜。

5.如權(quán)利要求1所述的硅異質(zhì)結(jié)太陽電池，其特征在于，所述的氮化硅減反射層(5)、正面透明導電氧化物介質(zhì)層(4)的厚度均為40nm，正面非晶硅本征層(2)、p型非晶硅發(fā)射極層(3)、背面非晶硅本征層(7)、n型非晶硅背電場層(8)的厚度均為5nm，背面透明導電氧化物介質(zhì)層(9)的厚度為80nm。

6.權(quán)利要求1-5任意一項所述的包含氮化硅減反射層的硅異質(zhì)結(jié)太陽電池的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1)：將n型單晶硅片(1)進行標準清洗工藝，得到預處理后的襯底；

步驟2)：在步驟1)所得襯底的正面用PECVD方法依次沉積正面非晶硅本征層(2)、p型非晶硅發(fā)射極層(3)；襯底的背面用PECVD依次沉積背面非晶硅本征層(7)、n型非晶硅背電場層(8)；

步驟3)：在步驟2)所得硅片的正面、背面用磁控濺射的方法分別沉積正面透明導電氧化物介質(zhì)層(4)、背面透明導電氧化物介質(zhì)層(9)；

步驟4)：在步驟3)所得硅片的正面用PECVD方法沉積氮化硅減反射層(5)；

步驟5)：在步驟4)所得硅片的正面用激光開槽；

步驟6)：在步驟5)所得硅片的正面、背面進行絲網(wǎng)印刷銀漿，其正面的銀漿通過激光所開之槽穿過氮化硅減反射層(5)與正面透明導電氧化物介質(zhì)層(4)接觸；

步驟7)：將步驟6)所得硅片進行燒結(jié)。

7.如權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述步驟4)具體為：以硅烷和氨氣為反應原料，在低于300℃的低溫下，通過等離子增強化學氣相沉積方法制備氮化硅減反射層(5)。

8.如權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述步驟5)中激光開槽的槽底為正面透明導電氧化物介質(zhì)層(4)。

9.如權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述步驟7)中的燒結(jié)溫度低于300℃。