[發(fā)明專利]空穴傳輸層及其制作方法、鈣鈦礦/硅基異質(zhì)結(jié)疊層太陽能電池及其制作方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202010367037.3
• 申請日: 2020-04-30
• 公開（公告）號: CN111640867A
• 公開（公告）日: 2020-09-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 不公告發(fā)明人
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州聯(lián)諾太陽能科技有限公司
• 主分類號: H01L51/42
• 分類號: H01L51/42;H01L51/48;H01L27/30
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 孔令聰

1.一種空穴傳輸層的制作方法，所述空穴傳輸層用于鈣鈦礦/硅基異質(zhì)結(jié)疊層太陽能電池，其特征在于，空穴傳輸層的制作方法包括如下步驟：

采用原子層沉積技術(shù)在襯底上形成保護(hù)層；以及

采用磁控濺射技術(shù)在所述保護(hù)層上形成金屬氧化物層，得到空穴傳輸層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的空穴傳輸層的制作方法，其特征在于，采用磁控濺射技術(shù)在所述保護(hù)層上形成金屬氧化物層的步驟中，濺射氣體為氬氣或者氬氣與氧氣的混合氣體；所述氬氣與氧氣的混合氣體中，氧氣的體積分?jǐn)?shù)為0.01％～30％。

3.一種采用1或2所述的制作方法得到的空穴傳輸層，用于鈣鈦礦/硅基異質(zhì)結(jié)疊層太陽能電池，其特征在于，所述空穴傳輸層包括層疊的保護(hù)層和金屬氧化物層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的空穴傳輸層，其特征在于，所述保護(hù)層的材質(zhì)選自氧化鎳、鈷酸鋰、氧化銅、氧化釩、氧化鉻與氧化鉬中的至少一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的空穴傳輸層，其特征在于，所述保護(hù)層的厚度為1nm～20nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的空穴傳輸層，其特征在于，所述金屬氧化物層的材質(zhì)選自氧化鎳、鈷酸鋰、氧化銅、氧化釩、氧化鉻與氧化鉬中的至少一種。

7.根據(jù)權(quán)利要求3或6所述的空穴傳輸層，其特征在于，所述金屬氧化物層的厚度為1nm～200nm。

8.一種鈣鈦礦/硅基異質(zhì)結(jié)疊層太陽能電池，其特征在于，包括鈣鈦礦電池與位于所述鈣鈦礦電池一側(cè)的隧穿結(jié)，所述鈣鈦礦電池包括權(quán)利要求3～7中任一項所述的空穴傳輸層或者采用1或2所述的空穴傳輸層的制作方法得到的空穴傳輸層，所述空穴傳輸層的保護(hù)層位于所述隧穿結(jié)與所述金屬氧化物層之間。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的鈣鈦礦/硅基異質(zhì)結(jié)疊層太陽能電池，其特征在于，所述隧穿結(jié)為硅基薄膜隧穿結(jié)。

10.一種鈣鈦礦/硅基異質(zhì)結(jié)疊層太陽能電池的制作方法，其特征在于，包括1或2所述的空穴傳輸層的制作方法。