[發明專利]一種釹鐵硼磁體材料、原料組合物及制備方法、應用

在審

• 申請號: 202010365891.6
• 申請日: 2020-04-30
• 公開（公告）號: CN111524674A
• 公開（公告）日: 2020-08-11
• 發明（設計）人: 王金磊;黃清芳;黎國妃;湯志輝;黃佳瑩
• 申請（專利權）人: 福建省長汀金龍稀土有限公司;廈門鎢業股份有限公司
• 主分類號: H01F1/057
• 分類號: H01F1/057;H01F41/02;C22C38/06;C22C38/16;C22C38/10;C22C38/04;C22C38/12;C22C38/14;C22C38/22;C22C38/20;C22C38/30;C22C38/32;C22C38/26
• 代理公司: 上海弼興律師事務所 31283
• 代理人: 薛琦;劉奉麗

1.一種釹鐵硼磁體材料A的原料組合物，其特征在于，其包括：

R：29.5-32.5wt％；所述R為稀土元素、且包括熔煉用稀土金屬R1和晶界擴散用稀土金屬R2；所述R1包括Nd和Ho、且不包括Dy和/或Tb；所述R2包括Dy和/或Tb；所述R2的含量為0.2-1wt％；

Co：0～0.5wt％；

B：0.9-1.05wt％；

Cu：0～0.35wt％、且不為0；

Ga：0～0.35wt％、且不為0；

Al：0～0.5wt％；

X：0.05～0.45wt％；所述X的種類包括Ti、Nb、Zr、Hf、V、Mo、W、Ta和Cr中的一種或多種；

Fe：65～70wt％；

wt％為各元素占所述釹鐵硼磁體材料A的原料組合物的重量百分比；

所述原料組合物中不含Gd。

2.如權利要求1所述的釹鐵硼磁體材料A的原料組合物，其特征在于，所述R的含量為30～32wt％，例如30.7wt％、30.93wt％、31wt％、31.4wt％、31.5wt％或者31.7wt％；

和/或，所述R1中Nd含量為16-32wt％，較佳地為16.8wt％、17.925wt％、18wt％、19wt％、19.4475wt％、19.05wt％、19.5wt％、20.175wt％、21.3wt％、21.75wt％、26.375wt％或者31wt％；

所述R1中的Nd以PrNd的形式添加時，PrNd的用量較佳地為0.5～29wt％，更佳地為1wt％、22.4wt％、23.9wt％、24wt％、25.4wt％、25.93wt％、26wt％、26.9wt％或者28.4wt％，wt％為元素占所述釹鐵硼磁體材料A的原料組合物的重量百分比；

和/或，所述R1中Ho含量為0-10wt％、且不為0，較佳地為0.1～10wt％，例如為1～9wt％，例如1.3wt％、2.5wt％、4wt％、4.5wt％、5.5wt％、6.4wt％、6.7wt％、7wt％或者8.5wt％；

和/或，所述R1不含有Ho以外的重稀土金屬；

和/或，所述R1還包括Pr和/或Sm；

當所述R1包含Pr時，所述Pr的含量較佳地為0-16wt％、且不為0，更佳地為0.2～15wt％，例如0.325wt％、2.75wt％、3.3wt％、5.6wt％、5.975wt％、6wt％、6.35wt％、6.4825wt％、6.5wt％、6.725wt％或者7.1wt％，其中百分比為占所述釹鐵硼磁體材料A的原料組合物總重量的百分比；

當所述R1包含Sm時，所述Sm的含量較佳地為0-3wt％，例如2wt％，其中百分比為占所述釹鐵硼磁體材料A的原料組合物總重量的百分比；

和/或，所述R2的含量為0.2-0.9wt％，例如0.4wt％、0.5wt％、0.6wt％或者0.8wt％；

當所述R2包括Dy時，所述Dy的含量較佳地為0.2-0.9wt％，更佳地為0.25-0.75wt％，例如0.5wt％；

當所述R2包括Tb時，所述Tb的含量較佳地為0.4-0.9wt％，更佳地為0.25-0.8wt％，例如0.2wt％、0.5wt％、0.6wt％或者0.7wt％；

當所述R2為Dy和Tb的混合物時，Dy和Tb的重量比為1:99-99:1，例如50:50、60:40、25:75或者40:60；

和/或，所述Co的含量范圍為0.02-0.45wt％，例如0.1wt％、0.2wt％、0.25wt％、0.3wt％、0.35wt％、或者0.4wt％；

和/或，所述B的含量為0.92-1.02wt％，例如0.94wt％、0.9wt％或者0.99wt％；

和/或，所述Cu的含量為0.05-0.3wt％，較佳地為0.1-0.3wt％，例如0.15wt％、0.2wt％或者0.25wt％；

和/或，所述Ga的含量為0.02-0.3wt％，例如0.05wt％、0.1wt％、0.15wt％、0.2wt％或者0.25wt％；

和/或，所述Al的含量為0-0.3wt％，較佳地為0～0.1wt％，更佳地為0～0.04wt％，例如0wt％、0.02wt％、0.03wt％或者0.04wt％；

和/或，所述X的種類為Ti、Nb、Zr和Hf中的一種或多種，較佳地為Ti、Nb、Zr或Hf；

所述X的種類較佳地為“Cr和Ti的混合物”、“Nb、Mo、W和Ta的混合物”、“Hf、W、Ta和Cr的混合物”或者“Nb和V的混合物”；

所述X的種類較佳地為V、Mo、W、Ta或者Cr；

和/或，所述X的含量為0.1-0.4wt％，例如0.14wt％、0.15wt％、0.18wt％、0.2wt％、0.25wt％或者0.33wt％；

當所述X包括Zr時，所述Zr的含量較佳地為0.05-0.25wt％，例如0.1wt％或者0.2wt％；

當所述X包括Ti時，所述Ti的含量較佳地為0.05-0.2wt％，例如0.08wt％、0.1wt％、0.14wt％或者0.15wt％；

當所述X包括Nb時，所述Nb的含量較佳地為0.02-0.4wt％，例如0.1wt％、0.15wt％或者0.25wt％；

當所述X包括Hf時，所述Hf的含量較佳地為0.02-0.1wt％，例如0.03wt％或者0.1wt％；

當所述X包括V時，所述V的含量較佳地為0.02-0.1wt％,例如0.03wt％；

當所述X包括Mo時，所述Mo的含量較佳地為0.008-0.05wt％，例如0.01wt％；

當所述X包括W時，所述W的含量較佳地為0.01-0.1wt％，例如0.05wt％；

當所述X包括Ta時，所述Ta的含量較佳地為0.01-0.1wt％，例如0.05wt％；

當所述X包括Cr時，所述Cr的含量較佳地為0.05-0.15wt％，例如0.1wt％；

當所述X包括Cr和Ti時，Cr和Ti的重量比較佳地為1：(0.5-1.0)，例如1:0.8；

當所述X包括Nb、Mo、W和Ta時，Nb、Mo、W和Ta的重量比較佳地為(0.15-0.25):(0.8-1.2):(0.8-1.2):1，例如2:1:1:1；

當所述X包括Hf、W、Ta和Cr時，Hf、W、Ta和Cr的重量比較佳地為(0.25-0.35):(0.8-1.2):(0.8-1.2):1，例如3:1:1:1；

當所述X包括Nb和V時，Nb和V的重量比較佳地為(35-45):5，例如40；5；

較佳地，所述釹鐵硼磁體材料A的原料組合物還包括Mn，所述Mn的含量范圍較佳地≤0.035wt％，更佳地≤0.0175wt％，上述百分比為Mn相對于原料組合物總量的重量百分比；

較佳地，所述釹鐵硼磁體材料A的原料組合物包括：R：30.5-32wt％；所述R為稀土元素、且包括熔煉用稀土金屬R1和晶界擴散用稀土金屬R2；R1：包括PrNd和Ho、且不包括Dy和/或Tb；PrNd：22.9-29wt％；Ho：2.5-8.5wt％；R2包括Dy和/或Tb；R2：0.25-0.8wt％；

Co：0～0.25wt％；B：0.9-1.05wt％；Cu：0.05～0.35wt％；Ga：0.05～0.35wt％；Al：0～0.1wt％；X：0.05～0.25wt％；所述X的種類包括Ti、Nb、Zr、Hf中的一種或多種；wt％為各元素占所述釹鐵硼磁體材料A的原料組合物的重量百分比；所述原料組合物中不含Gd；

余量為Fe及不可避免的雜質；

更佳地，所述釹鐵硼磁體材料A的原料組合物包括：R：30.5-32wt％；所述R為稀土元素、且包括熔煉用稀土金屬R1和晶界擴散用稀土金屬R2；R1：包括PrNd和Ho、且不包括Dy和/或Tb；PrNd：22.9-29wt％；Ho：2.5-8.5wt％；R2包括Dy和/或Tb；R2：0.3-0.6wt％；

Co：0～0.1wt％(更佳地為0wt％)；B：0.9-1.0wt％；Cu：0.05～0.35wt％；Ga：0.05～0.35wt％；Al：0～0.5wt％；X：0.1～0.2wt％；所述X的種類包括Ti和/或Zr；所述原料組合物中不含Gd；余量為Fe及不可避免的雜質。