[發(fā)明專(zhuān)利]類(lèi)壓電d33振動(dòng)式裝置及整合其的顯示器在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010364707.6 | 申請(qǐng)日: | 2020-04-30 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111510105A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-08-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 周正三 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 美三科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H03H9/24 | 分類(lèi)號(hào): | H03H9/24;G09G3/20;G06F3/041;G06K9/00 |
| 代理公司: | 北京北新智誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11100 | 代理人: | 朱麗華 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)灣新竹市東區(qū)*** | 國(guó)省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 壓電 d33 振動(dòng) 裝置 整合 顯示器 | ||
本發(fā)明提供一種類(lèi)壓電d33振動(dòng)式裝置,至少包括多個(gè)電晶體以及多個(gè)接收器。該多個(gè)接收器電連接至這些電晶體,各電晶體控制對(duì)應(yīng)的各接收器接收被一物體反射一第一振波所產(chǎn)生的一第二振波而產(chǎn)生一感測(cè)信號(hào)。各接收器具有一第一電極、一第二電極及位于第一電極與第二電極之間且由半導(dǎo)體金屬化合物形成后產(chǎn)生的一納米間隙。本發(fā)明還提供一種整合有上述類(lèi)壓電d33振動(dòng)式裝置的顯示器。本發(fā)明容易與半導(dǎo)體制程整合,加工容易、成本低、無(wú)污染性。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明是有關(guān)于一種類(lèi)壓電d33振動(dòng)式裝置及整合其的顯示器,且特別是有關(guān)于一種具有集成化收發(fā)器的類(lèi)壓電d33振動(dòng)式裝置,其可被應(yīng)用至各種電子裝置、設(shè)備及系統(tǒng),以及有關(guān)于一種整合上述收發(fā)裝置的顯示器。
背景技術(shù)
傳統(tǒng)的振動(dòng)式收發(fā)器(或稱(chēng)傳感器或換能器(transducer)),譬如是聲波或超聲波收發(fā)器,可以用來(lái)作醫(yī)療器官影像的量測(cè)、手勢(shì)偵測(cè)、三維觸控、指紋感測(cè)、皮下生物資訊(微血管資訊、血流資訊)量測(cè)等,可以以空氣或流體當(dāng)作介質(zhì),也可以是物體接觸式。傳統(tǒng)的實(shí)施技術(shù)通常是使用壓電材料,譬如是聚偏二氟乙烯(polyvinylidene difluoride,PVDF)或鋯鈦酸鉛(Lead Zirconate Titanate,PZT)等等,其操作的模式是使用材料的d33模式,亦即使施予材料的電場(chǎng)方向與其振動(dòng)方向平行。
圖1A與1B顯示一種傳統(tǒng)的d33振動(dòng)式收發(fā)器的示意圖。如圖1A與1B所示,傳統(tǒng)的d33振動(dòng)式收發(fā)器300包括一壓電材料塊310。壓電材料塊310的上端及下端被通以電壓源340而產(chǎn)生電場(chǎng)而使壓電材料變形,當(dāng)電場(chǎng)持續(xù)變化時(shí),壓電材料塊310會(huì)沿著振動(dòng)方向320振動(dòng),壓電材料塊310產(chǎn)生的電場(chǎng)方向330與振動(dòng)方向320平行時(shí),稱(chēng)為操作在d33模式。譬如,在圖1A中,電壓源340分別對(duì)第一電極311與第二電極312施予負(fù)電壓及正電壓,造成朝上的電場(chǎng)方向330以及壓電材料塊310的收縮;而在圖1B中,電壓源340分別對(duì)第一電極311與第二電極312施予正電壓及負(fù)電壓,造成朝下的電場(chǎng)方向330以及壓電材料塊310的伸長(zhǎng)。當(dāng)施予圖1A與1B的交替電場(chǎng)時(shí),可以造成壓電材料塊310的伸縮振動(dòng)。
在制造上,PVDF是一種工程塑膠,不易采用光刻(Lithography)等半導(dǎo)體制程來(lái)進(jìn)行曝光、顯影等加工方式,加工方式通常僅能依靠例如雷射加工。因此,要將PVDF整合到半導(dǎo)體制程是很有問(wèn)題的。PZT具有污染性,很難微加工,而且需要使用塊狀材料才能實(shí)現(xiàn)d33的操作模式(譬如薄膜PZT操作于d31模式)。塊狀材料的PZT通常采用燒結(jié)方式來(lái)生產(chǎn),燒結(jié)溫度高達(dá)700至800℃,甚至高達(dá)1000℃。因此,傳統(tǒng)的d33的PZT元件都是獨(dú)立的元件,也很難整合到半導(dǎo)體的制程,甚至無(wú)法與集成電路制程做整合,將壓電元件制作整合于集成電路。且鉛對(duì)于半導(dǎo)體裝置又具有污染性。再者,PZT需要用白金當(dāng)作電極,使得制造成本高昂。
再者,傳統(tǒng)的壓電材料在操作時(shí),所施加的電壓通常是幾十伏特到幾百伏特。這么高的電壓在系統(tǒng)整合時(shí)是一個(gè)問(wèn)題,與半導(dǎo)體制程整合時(shí)也是一大問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種類(lèi)壓電d33振動(dòng)式裝置,具有的優(yōu)點(diǎn)是容易與半導(dǎo)體制程整合,加工容易、成本低、無(wú)污染性。
為達(dá)成上述目的,本發(fā)明提供一種類(lèi)壓電d33振動(dòng)式裝置,至少包括多個(gè)電晶體以及多個(gè)接收器。這些接收器電連接至這些電晶體,各電晶體控制對(duì)應(yīng)的各接收器接收被一物體反射一第一振波所產(chǎn)生的一第二振波而產(chǎn)生一感測(cè)信號(hào)。各接收器具有一第一電極、一第二電極及位于第一電極與第二電極之間且由半導(dǎo)體金屬化合物形成后產(chǎn)生的一納米間隙。
優(yōu)選地,各該接收器更作為一發(fā)射器用,而作為一收發(fā)單元,該收發(fā)單元與該些電晶體的對(duì)應(yīng)的一個(gè)組成為一集成化收發(fā)器,于各該集成化收發(fā)器中,該電晶體于一第一時(shí)間點(diǎn)控制該收發(fā)單元發(fā)射出該第一振波以后,于一第二時(shí)間點(diǎn)控制該收發(fā)單元接收該第二振波。
優(yōu)選地,更包括:一基板,其中各該集成化收發(fā)器設(shè)置于該基板上,各該電晶體設(shè)置于該基板上或該基板內(nèi),各該收發(fā)單元鄰近該電晶體。
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