[發(fā)明專利]OLED陣列基板、顯示面板及顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010364530.X
• 申請日: 2020-04-30
• 公開（公告）號(hào): CN111540771B
• 公開（公告）日: 2023-09-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 方月婷;柴慧平;韓立靜;高婭娜;陳嫻
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢天馬微電子有限公司;武漢天馬微電子有限公司上海分公司
• 主分類號(hào): H10K59/126
• 分類號(hào): H10K59/126;H01L29/10;H01L29/786;G09F9/33
• 代理公司: 北京晟睿智杰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11603
• 代理人: 于淼

1.一種OLED陣列基板，其特征在于，包括：

襯底基板；

位于所述襯底基板一側(cè)設(shè)置有多條沿第一方向延伸的柵線、多條沿第二方向延伸的數(shù)據(jù)線、多條沿第二方向延伸的電源信號(hào)線，所述第一方向和所述第二方向相交；

多條所述柵線和多條所述數(shù)據(jù)線交叉限定出多個(gè)像素區(qū)域；

所述像素區(qū)域包括像素驅(qū)動(dòng)電路；

所述像素驅(qū)動(dòng)電路包括：第一電源信號(hào)端和第二電源信號(hào)端；

驅(qū)動(dòng)晶體管，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接到第一節(jié)點(diǎn)，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極連接第二節(jié)點(diǎn)，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極連接第三節(jié)點(diǎn)；

發(fā)光元件，所述發(fā)光元件的陽極連接第四節(jié)點(diǎn)，陰極與所述第二電源信號(hào)端電連接；

發(fā)光控制模塊，所述發(fā)光控制模塊、所述驅(qū)動(dòng)晶體管和所述發(fā)光元件串聯(lián)在所述第一電源信號(hào)端和所述第二電源信號(hào)端之間；

存儲(chǔ)電容，所述存儲(chǔ)電容的第一端與所述第一電源信號(hào)端電連接，所述存儲(chǔ)電容的第二端與所述第一節(jié)點(diǎn)電連接；

除所述驅(qū)動(dòng)晶體管外，還包括至少一個(gè)與所述第一節(jié)點(diǎn)電連接的第一節(jié)點(diǎn)晶體管，所述第一節(jié)點(diǎn)晶體管包括依次層疊在所述襯底基板上的半導(dǎo)體層、第一金屬層、第二金屬層、第三金屬層以及位于所述半導(dǎo)體層、所述第一金屬層、所述第二金屬層和所述第三金屬層之間的絕緣層；

其中，所述半導(dǎo)體層包括所述第一節(jié)點(diǎn)晶體管的有源層、所述驅(qū)動(dòng)晶體管的有源層，所述第一金屬層包括所述第一節(jié)點(diǎn)晶體管的柵極、所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極、所述存儲(chǔ)電容的第一極板以及所述柵線，所述第二金屬層包括所述存儲(chǔ)電容的第二極板；所述第三金屬層包括所述第一節(jié)點(diǎn)晶體管的第一極和第二極、所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極和第二極、所述數(shù)據(jù)線、以及所述電源信號(hào)線；

在垂直于所述襯底基板所在平面方向上，所述第一節(jié)點(diǎn)晶體管的有源層與所述第一節(jié)點(diǎn)晶體管的柵極存在交疊的區(qū)域?yàn)樗龅谝还?jié)點(diǎn)晶體管的溝道，在所述第一金屬層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)設(shè)置有至少一個(gè)阻擋單元，在垂直于所述襯底基板所在平面方向上，至少一個(gè)所述第一節(jié)點(diǎn)晶體管的溝道的至少部分區(qū)域與所述阻擋單元存在交疊；

所述阻擋單元包括第一部分，所述電源信號(hào)線包括加寬部，所述第一部分為所述加寬部；在垂直于所述襯底基板所在平面方向上，至少一個(gè)所述第一節(jié)點(diǎn)晶體管的溝道的至少部分與所述加寬部存在交疊。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED陣列基板，其特征在于，每一個(gè)所述第一節(jié)點(diǎn)晶體管的溝道均與所述阻擋單元存在交疊。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED陣列基板，其特征在于，所述第一節(jié)點(diǎn)晶體管的溝道完全被所述阻擋單元覆蓋。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED陣列基板，其特征在于，所述阻擋單元還覆蓋所述第一節(jié)點(diǎn)晶體管的溝道兩側(cè)的有源層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED陣列基板，其特征在于，所述第一節(jié)點(diǎn)晶體管均為雙柵晶體管。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的OLED陣列基板，其特征在于，所述雙柵晶體管的兩個(gè)柵極之間的有源層被所述阻擋單元覆蓋。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的OLED陣列基板，其特征在于，覆蓋所述雙柵晶體管的兩個(gè)柵極之間的有源層的阻擋單元由所述第二金屬層制備而成，覆蓋所述溝道區(qū)域的阻擋單元由所述第三金屬層制備而成。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的OLED陣列基板，其特征在于，覆蓋所述雙柵晶體管的兩個(gè)柵極之間的有源層的阻擋單元由所述第二金屬層制備而成，覆蓋所述溝道區(qū)域的阻擋單元與所述陽極同層設(shè)置。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED陣列基板，其特征在于，所述阻擋單元由所述第二金屬層和/或所述第三金屬層制備而成。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED陣列基板，其特征在于，還包括第四金屬層，所述第四金屬層位于所述第一金屬層遠(yuǎn)離所述襯底基板一側(cè)，所述阻擋單元由所述第四金屬層制備而成。