[發(fā)明專利]耐電氣過應(yīng)力的微波放大器在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010364079.1 | 申請(qǐng)日： | 2020-04-30 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN111884610A | 公開（公告）日： | 2020-11-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | S·帕薩薩拉希;J·A·薩爾塞多;M·昌卡 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 亞德諾半導(dǎo)體國(guó)際無限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào)： | H03F3/24 | 分類號(hào)： | H03F3/24;H03F1/52 |
| 代理公司： | 中國(guó)貿(mào)促會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038 | 代理人： | 劉倜 |
| 地址： | 愛爾蘭*** | 國(guó)省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電氣 應(yīng)力 微波 放大器 | ||
1.具有集成電氣過應(yīng)力保護(hù)的單片微波集成電路(MMIC)，該MMIC包括：
信號(hào)板，被配置為接收射頻(RF)信號(hào)；
第一接地墊；
巴倫，包括被配置為接收所述RF信號(hào)的初級(jí)部分和被配置為輸出差分RF信號(hào)的次級(jí)部分；
放大器，被配置為放大所述差分RF信號(hào)；和
第一保護(hù)電感器，電連接在所述初級(jí)部分和所述第一接地墊之間，并且可操作以保護(hù)所述放大器免受電氣過應(yīng)力的影響。
2.權(quán)利要求1所述的MMIC，其中所述第一保護(hù)電感器電連接到所述初級(jí)部分的中間抽頭。
3.權(quán)利要求1所述的MMIC，還包括電連接到所述巴倫的次級(jí)部分的第二保護(hù)電感器。
4.權(quán)利要求3所述的MMIC，還包括電容器和與所述電容器并聯(lián)電連接并可操作以控制向所述放大器的直流輸入電壓的電壓源，其中所述第二保護(hù)電感器和所述電容器串聯(lián)電連接在所述巴倫的次級(jí)部分和所述第一接地墊之間。
5.權(quán)利要求3所述的MMIC，其中所述第二保護(hù)電感器電連接到所述次級(jí)部分的抽頭。
6.權(quán)利要求1所述的MMIC，其中所述巴倫的初級(jí)部分電連接在所述信號(hào)板和所述第一接地墊之間。
7.權(quán)利要求1所述的MMIC，還包括第二接地墊，其中所述巴倫的初級(jí)部分電連接在所述信號(hào)板和所述第二接地墊之間。
8.權(quán)利要求7所述的MMIC，還包括電耦合在所述第一接地墊和所述第二接地墊之間的去耦電感器。
9.權(quán)利要求1所述的MMIC，其中所述放大器包括：第一放大場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)，柵極電連接到所述次級(jí)部分的第一端；以及第二放大FET，柵極電連接到所述次級(jí)部分的第二端。
10.權(quán)利要求9所述的MMIC，還包括在所述第一放大FET的柵極和所述次級(jí)部分的第一端之間的第一輸入電感器、以及在所述第二放大FET的柵極和所述次級(jí)部分的第二端之間的第二輸入電感器。
11.權(quán)利要求9所述的MMIC，還包括在所述第一放大FET的源極與所述第一接地墊之間的第一去耦電感器、以及在所述第二放大FET的源極與所述第一接地墊之間的第二去耦電感器。
12.權(quán)利要求9所述的MMIC，還包括電連接跨越所述第一放大FET的柵極和源極的第一鉗位FET、以及電連接跨越所述第二放大FET的柵極和源極的第二鉗位FET。
13.權(quán)利要求12所述的MMIC，還包括共柵電阻器，該共柵電阻器包括電連接到所述第一接地墊的一端、以及電連接到所述第一鉗位FET的柵極和所述第二鉗位FET的柵極的第二端。
14.權(quán)利要求12所述的MMIC，還包括電連接在所述第一放大FET的柵極和鉗位節(jié)點(diǎn)之間的第三鉗位FET、和電連接在所述第二放大FET的柵極和所述鉗位節(jié)點(diǎn)之間的第四鉗位FET，其中所述第三和第四鉗位FET具有第一和第二鉗位FET相反的器件極性。
15.權(quán)利要求12所述的MMIC，還包括多指晶體管布局，其中使用所述多指晶體管布局的指的第一部分來實(shí)現(xiàn)所述第一放大FET，并且使用所述多指晶體管布局的指的第二部分來實(shí)現(xiàn)所述第一鉗位FET。
16.權(quán)利要求1所述的MMIC，還包括配置為產(chǎn)生用于向所述放大器供電的穩(wěn)壓電源電壓的偏置電源模塊，其中所述偏置電源模塊包括第一控制環(huán)路，所述第一控制環(huán)路被配置為基于參考電壓來設(shè)置該穩(wěn)壓電源電壓，以及第二控制環(huán)路，所述第二控制環(huán)路可操作以基于參考電流控制通過所述放大器的電流。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于亞德諾半導(dǎo)體國(guó)際無限責(zé)任公司，未經(jīng)亞德諾半導(dǎo)體國(guó)際無限責(zé)任公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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