[發(fā)明專利]一種鍺基底8-12um紅外窗口片及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010364056.0 | 申請日: | 2020-04-30 |
| 公開(公告)號: | CN111443404A | 公開(公告)日: | 2020-07-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 姜海;侯強;劉瑞斌 | 申請(專利權(quán))人: | 沈陽北理高科技有限公司 |
| 主分類號: | G02B1/113 | 分類號: | G02B1/113;C03C17/00 |
| 代理公司: | 沈陽智龍專利事務(wù)所(普通合伙) 21115 | 代理人: | 張君男;宋鐵軍 |
| 地址: | 110044 遼寧省沈*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基底 12 um 紅外 窗口 及其 制備 方法 | ||
本發(fā)明屬于光學(xué)薄膜領(lǐng)域,具體涉及一種鍺基底8?12um紅外窗口片及其制備方法。窗口片以單晶鍺為基底,基底的兩側(cè)均鍍有單層的增透膜結(jié)構(gòu),兩側(cè)膜結(jié)構(gòu)的入射角均定義為0°±10°。其制備方法是先對基片進行擦拭放置到鍍膜機中,再將增透膜材料預(yù)熔,再采用真空熱蒸發(fā)法進行鍍膜,單晶鍺基底的兩側(cè)分別鍍有1層增透膜結(jié)構(gòu),增透膜為硫化鋅材料時膜層厚度為1.083?1.162um,增透膜為KRS?6材料時膜層厚度為1.090?1.145um。該窗口片可應(yīng)用到8?12um紅外探測系統(tǒng)中,也可以用到夜視儀中,因其鍍膜設(shè)計簡單,鍍膜材料選擇普通,膜層牢固度高等優(yōu)點,大大降低了窗口片制作的周期與成本。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于光學(xué)薄膜領(lǐng)域,具體涉及一種鍺基底8-12um紅外窗口片及其制備方法。
背景技術(shù)
8-12um紅外窗口片是一種常用的紅外無源器件,用于隔離探測器內(nèi)部系統(tǒng)與外界環(huán)境。目前實際應(yīng)用中基底材料的選擇、增透膜材料的選擇制約著窗口片制作的周期與成本,常規(guī)紅外增透膜一般選擇鍺和氟化鐿做為高低折射率材料,設(shè)計層數(shù)為6-8層,厚度3-4um,如2018年10月9日公開的CN108627889,一種鍺基底寬光譜紅外增透光學(xué)窗口,透過率在94%左右,而且需要在基底的兩個表面分別沉積8層非規(guī)整的膜層,膜層較多,厚度更厚,制備成本高,生產(chǎn)時間長,不利于大范圍推廣。
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明目的:
本發(fā)明的目的在于降低制作8-12um紅外窗口片生產(chǎn)成本,致力于提供一種性價比低廉、透射率高的鍺基底8-12um紅外窗口片及其制備方法。
技術(shù)方案:
本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的:
一種鍺基底8-12um紅外窗口片,窗口片以單晶鍺為基底,基底的兩側(cè)均鍍有單層的增透膜結(jié)構(gòu)。
進一步的,增透膜為硫化鋅材料時膜層厚度為1.083-1.162um,增透膜為KRS-6材料時膜層厚度為1.090-1.145um。
進一步的,紅外窗口片平均透射率大于95%,極值透過率大于98%。
進一步的,單晶鍺的厚度范圍是直徑10-30毫米,厚度1-2毫米。
進一步的,窗口片兩側(cè)的增透膜結(jié)構(gòu)的入射角均定義為0°±10°之間。
一種鍺基底8-12um紅外窗口片的制備方法,該方法包括:
步驟一:基片準備:對單晶鍺表面進行擦拭,擦拭后的鏡片放入片托中,片托放入鍍膜機工件盤上;
步驟二:鍍前準備:將增透膜材料放置在熱蒸發(fā)坩堝中,將真空室本底抽真空,預(yù)熔增透膜材料為熔融狀態(tài);
步驟三:鍍膜:采用真空熱蒸發(fā)法進行鍍膜;
單晶鍺基底的兩側(cè)分別鍍有1層增透膜結(jié)構(gòu),雙面鍍膜;
設(shè)置鍍膜厚度,增透膜為硫化鋅材料時膜層厚度為1.083-1.162um,增透膜為KRS-6材料時膜層厚度為1.090-1.145um。
進一步的,步驟一中的擦拭采用乙醇和乙醚(6~8):(4~2)的體積比例配合的溶液對單晶鍺表面進行擦拭;增透膜材料選擇硫化鋅或者KRS-6;硫化鋅材料的純度為99.99%;KRS-6為質(zhì)量分數(shù)44.4%的溴化鉈和55.6%氯化鉈的混合物,步驟二中的抽真空條件是將真空室本底真空抽到(0.8~1.0)*E-3Pa,沉積區(qū)域溫度130~150℃,恒溫30~40 min。
進一步的,步驟三具體步驟是:
步驟a:鍍膜前預(yù)設(shè)鍍膜條件;
步驟b:利用石英晶體膜厚控制儀控制增透膜材料的蒸發(fā)速率;
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