[發(fā)明專利]利用磁控、光控單輸入多輸出的可控軟體閥及其控制方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010363429.2 | 申請日: | 2020-04-30 |
| 公開(公告)號: | CN111536273B | 公開(公告)日: | 2021-05-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 楊揚(yáng);趙潤禾;楊毅;邵文韞;鐘宋義;彭艷;蒲華燕 | 申請(專利權(quán))人: | 上海大學(xué) |
| 主分類號: | F16K11/14 | 分類號: | F16K11/14;F16K31/06 |
| 代理公司: | 北京高沃律師事務(wù)所 11569 | 代理人: | 杜陽陽 |
| 地址: | 200444*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 利用 光控 輸入 輸出 可控 軟體 及其 控制 方法 | ||
1.一種利用磁控、光控單輸入多輸出的可控軟體閥,其特征在于,包括硅膠管和多個相同的軟體閥;其中,多個所述軟體閥并排設(shè)置且共同連接在所述硅膠管上,所述軟體閥的閥門片為磁性SMP薄膜;
通過磁場和光場對所述磁性SMP薄膜進(jìn)行控制使所述磁性SMP薄膜發(fā)生形變,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)不同所述軟體閥的開關(guān)狀態(tài)的切換;
每個所述軟體閥均包括下襯底、磁性SMP薄膜、防護(hù)口、上擋板、上腔室和下腔室;其中,對所述下襯底的上表面進(jìn)行凹陷處理形成半弧形的所述下腔室,且在所述下腔室的外表面設(shè)置有所述磁性SMP薄膜;所述磁性SMP薄膜上開設(shè)有所述防護(hù)口;所述下襯底上設(shè)有與所述下襯底匹配的框架結(jié)構(gòu),并在所述框架結(jié)構(gòu)的上表面處安裝有所述上擋板以形成所述上腔室;
所述框架結(jié)構(gòu)為鏤空結(jié)構(gòu),并在所述框架結(jié)構(gòu)的一側(cè)面處設(shè)有進(jìn)氣口,在所述框架結(jié)構(gòu)的所述進(jìn)氣口相對的側(cè)面處設(shè)有出氣口;其中,所述硅膠管的出氣口與所述軟體閥的進(jìn)氣口連接;
所述軟體閥上方還設(shè)置有磁場發(fā)生裝置和光源發(fā)生裝置;所述磁性SMP薄膜具有向上彎曲形態(tài)和向下彎曲形態(tài);
具體控制方式:
當(dāng)氣流從所述硅膠管進(jìn)入所述軟體閥的進(jìn)氣口且所述軟體閥處于開啟狀態(tài)時,所述磁性SMP薄膜向下彎曲,氣流直接從所述上腔室經(jīng)過到達(dá)所述軟體閥的出氣口;
當(dāng)所述軟體閥上方外加的磁場發(fā)生裝置和光源發(fā)生裝置開啟時,所述磁性SMP薄膜受力向上彎曲并與所述上擋板相擠壓,氣流從所述進(jìn)氣口進(jìn)入,被所述磁性SMP薄膜阻擋流通,從所述防護(hù)口進(jìn)入所述下腔室,并維持所述磁性SMP薄膜狀態(tài),使所述軟體閥處于閉合狀態(tài);此時關(guān)閉所述磁場發(fā)生裝置與所述光源發(fā)生裝置;
當(dāng)所述磁場發(fā)生裝置關(guān)閉且所述光源發(fā)生裝置開啟時,所述磁性SMP薄膜恢復(fù)并向下彎曲,使所述軟體閥被再次開啟。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種利用磁控、光控單輸入多輸出的可控軟體閥,其特征在于,相鄰所述軟體閥之間設(shè)有空隙。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種利用磁控、光控單輸入多輸出的可控軟體閥,其特征在于,所述上擋板為中部有凹陷區(qū)域的上擋板;其中,所述凹陷區(qū)域的形狀為V字形。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種利用磁控、光控單輸入多輸出的可控軟體閥,其特征在于,所述下襯底、所述上擋板和所述框架結(jié)構(gòu)的材料均為彈性硅膠。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種利用磁控、光控單輸入多輸出的可控軟體閥,其特征在于,所述磁性SMP薄膜是通過溶劑澆鑄的熱塑聚氨酯聚合物。
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