[發(fā)明專利]一種銅-鎳核殼型納米粉體和導(dǎo)電薄膜及其制備方法和應(yīng)用有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010363025.3 | 申請(qǐng)日: | 2020-04-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111515385B | 公開(公告)日: | 2021-08-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳遠(yuǎn)志;方宴平;彭?xiàng)澚?/a> | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 廈門大學(xué) |
| 主分類號(hào): | B22F1/02 | 分類號(hào): | B22F1/02;B22F1/00;B22F7/04;B22F9/24;C23C18/34 |
| 代理公司: | 廈門市精誠(chéng)新創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 35218 | 代理人: | 方惠春 |
| 地址: | 361000 *** | 國(guó)省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 鎳核殼型 納米 導(dǎo)電 薄膜 及其 制備 方法 應(yīng)用 | ||
1.一種銅-鎳核殼型納米粉體,其特征在于,所述銅-鎳核殼型納米粉體內(nèi)部的銅核為多面體,外部的鎳以暴露在外的銅晶面進(jìn)行外延生長(zhǎng),并以表面光滑的異質(zhì)殼層形式密閉地包覆銅核。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅-鎳核殼型納米粉體,其特征在于,所述銅-鎳核殼型納米粉體呈現(xiàn)出多面體的形狀,粒徑為65~200納米;鎳殼層厚度為1~20納米,鎳所占的摩爾分?jǐn)?shù)為0.5~50%。
3.權(quán)利要求1或2所述的銅-鎳核殼型納米粉體的制備方法,其特征在于,該方法包括以下步驟:
(1)將銅前驅(qū)體、鎳前驅(qū)體、抗壞血酸和高分子包覆劑分別溶解在多元醇溶液中,以形成各自的多元醇溶液;
(2)將高分子包覆劑的多元醇溶液加熱至110~170℃,然后同時(shí)將銅前驅(qū)體的多元醇溶液和抗壞血酸的多元醇溶液在惰性氣體的保護(hù)下分別以注射速率V1和V2注入到高分子包覆劑的多元醇溶液中,之后保溫反應(yīng)0.1~60分鐘;
(3)待保溫反應(yīng)結(jié)束后,將體系升溫至175~220℃,再將鎳前驅(qū)體的多元醇溶液和抗壞血酸的多元醇溶液分別以注射速率V3和V4注入到步驟(2)的反應(yīng)體系中,之后保溫反應(yīng)1~120分鐘,接著使所得反應(yīng)液自然冷卻到室溫,用乙醇洗滌,磁場(chǎng)分離,干燥,得到銅-鎳核殼型納米粉體。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的銅-鎳核殼型納米粉體的制備方法,其特征在于,步驟(1)中,所述銅前驅(qū)體選自甲酸銅、乙酸銅和硫酸銅中的至少一種;所述鎳前驅(qū)體選自乙酸鎳和/或乙酰丙酮鎳;所述高分子包覆劑選自聚乙烯吡咯烷酮和/或聚乙二醇;所述多元醇選自乙二醇和/或二甘醇。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的銅-鎳核殼型納米粉體的制備方法,其特征在于,步驟(1)中,所述銅前驅(qū)體在多元醇溶液中的濃度為0.001~0.05g/mL;所述鎳前驅(qū)體在多元醇溶液中的濃度為0.001~0.04g/mL;所述抗壞血酸在多元醇溶液中的濃度為0.005~0.1g/mL;所述高分子包覆劑在多元醇溶液中的濃度為0.001~0.5g/mL。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的銅-鎳核殼型納米粉體的制備方法,其特征在于,步驟(2)中,所述注射速率V1為0.1~5mL/min,V2為0.1~5mL/min,V1和V2的比值為1:(1~4)。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的銅-鎳核殼型納米粉體的制備方法,其特征在于,步驟(3)中,所述注射速率V3為0.1~5mL/min,V4為0.1~5mL/min,V3和V4的比值為1:(1~4)。
8.權(quán)利要求1或2所述的銅-鎳核殼型納米粉體在導(dǎo)電漿料、導(dǎo)電薄膜、金屬電極、磁屏蔽材料或催化劑領(lǐng)域中應(yīng)用。
9.一種導(dǎo)電薄膜的制備方法,其特征在于,該方法包括將權(quán)利要求1或2所述的銅-鎳核殼型納米粉體分散于溶劑中形成導(dǎo)電漿料,將所述導(dǎo)電漿料涂布在基片上形成薄膜,之后于還原性氣氛中于300~400℃焙燒0.5~2小時(shí),得到導(dǎo)電薄膜。
10.由權(quán)利要求9所述的方法制備得到的導(dǎo)電薄膜。
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