[發(fā)明專利]一種實(shí)現(xiàn)ZnO微米線EHP激光的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010360716.8
• 申請(qǐng)日: 2020-04-30
• 公開（公告）號(hào): CN111613968B
• 公開（公告）日: 2022-04-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姜明明;萬鵬;闞彩俠;唐楷;馬琨傑;周祥博;劉洋
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南京航空航天大學(xué)
• 主分類號(hào): H01S5/327
• 分類號(hào): H01S5/327;C23C14/04;C23C14/18;C23C14/35;C23C14/58
• 代理公司: 南京瑞弘專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32249
• 代理人: 秦秋星

1.一種實(shí)現(xiàn)ZnO微米線EHP激光的方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1：在ZnO:Ga微米線上濺射Ag準(zhǔn)粒子薄膜，并利用焦耳熱效應(yīng)將ZnO:Ga微米線上的Ag準(zhǔn)粒子薄膜轉(zhuǎn)變成大尺寸的AgNPs，形成大尺寸AgNPs包覆ZnO:Ga微米線復(fù)合結(jié)構(gòu)；

步驟2：利用激光激發(fā)出大尺寸AgNPs包覆ZnO:Ga微米線復(fù)合結(jié)構(gòu)的EHP激光；

步驟1包括：

步驟1.1：將截面為六邊形的單根ZnO:Ga微米線移置到石英襯底上，保證ZnO:Ga微米線的一個(gè)面和石英襯底貼合，并在ZnO:Ga微米線兩端按壓銦電極；

步驟1.2：在步驟1.1得到的ZnO:Ga微米線上濺射Ag納米準(zhǔn)粒子薄膜；

步驟1.3：將步驟1.2中得到的Ag納米準(zhǔn)粒子薄膜包裹的ZnO:Ga微米線放置在含CCD成像的顯微鏡下，使得能夠在電腦軟件中清楚看到ZnO:Ga微米線復(fù)合結(jié)構(gòu)的像，然后在兩端的銦電極上施加電壓，直到能夠看到ZnO:Ga微米線發(fā)光；在發(fā)光中心處，Ag納米準(zhǔn)粒子薄膜退變成孤立的大尺寸AgNPs；

所述大尺寸AgNPs的直徑為200nm；

步驟1.2中，將ZnO:Ga微米線兩邊含銦電極的部分用掩模板遮擋起來，然后將其置入到磁控濺射儀真空腔室中，選用的濺射靶材為Ag靶材，純度99.9999％，真空腔中氣體為氬氣，腔體氣壓31～32Pa，濺射電流28～29mA，濺射時(shí)間300～400s。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種實(shí)現(xiàn)ZnO微米線EHP激光的方法，其特征在于，所述ZnO:Ga微米線采用化學(xué)氣相沉積方法制備。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種實(shí)現(xiàn)ZnO微米線EHP激光的方法，其特征在于，所述ZnO:Ga微米線的電子濃度為10¹⁸～10¹⁹/cm³，電子遷移率為10～95cm²/V·s。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種實(shí)現(xiàn)ZnO微米線EHP激光的方法，其特征在于，濺射在ZnO:Ga微米線的Ag準(zhǔn)粒子薄膜的厚度30～50nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種實(shí)現(xiàn)ZnO微米線EHP激光的方法，其特征在于，步驟2中，所述激光的激發(fā)波長為355nm，激發(fā)功率為1～700μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種實(shí)現(xiàn)ZnO微米線EHP激光的方法，其特征在于，步驟1.3中，所施加的電壓值為0V～210V，電流值為0～1A。