[發明專利]一種可控硅驅動電路及可控硅芯片

在審

• 申請號: 202010350307.X
• 申請日: 2020-04-28
• 公開（公告）號: CN111464166A
• 公開（公告）日: 2020-07-28
• 發明（設計）人: 藍浩濤;張潘德;賴首雄
• 申請（專利權）人: 深圳市德芯半導體技術有限公司
• 主分類號: H03K17/72
• 分類號: H03K17/72;H01L29/74
• 代理公司: 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 44414
• 代理人: 鄭浩旋

1.一種可控硅驅動電路，其特征在于，包括：可控硅器件、齊納二極管以及二極管；

所述可控硅器件的控制極所述可控硅驅動電路的控制端，所述可控硅器件的第一電極作為所述可控硅驅動電路的輸出端，所述可控硅器件的第二電極與所述齊納二極管的陰極共接作為所述可控硅驅動電路的電源輸入端，所述齊納二極管的陽極與所述二極管的陰極共接作為所述可控硅驅動電路的補償信號端，所述二極管的陽極作為所述可控硅驅動電路的接地端。

2.如權利要求1所述的可控硅驅動電路，其特征在于，所述可控硅驅動電路內還包括信號補償電路，所述信號補償電路設于所述補償信號端與所述齊納二極管的陽極之間。

3.如權利要求2所述的可控硅驅動電路，其特征在于，所述信號補償電路包括第一電阻和第一電容；所述第一電容的第一端與所述齊納二極管的陽極連接，所述第一電容的第二端與所述第一電阻的第一端連接，所述第一電阻的第二端與補償信號端連接。

4.如權利要求1所述的可控硅驅動電路，其特征在于，所述可控硅器件為雙向可控硅。

5.如權利要求1所述的可控硅驅動電路，其特征在于，所述可控硅器件的結構為全平面結構、單凸臺結構以及雙凸臺結構中的任意一種。

6.如權利要求1所述的可控硅驅動電路，其特征在于，所述齊納二極管包括基底，在所述基底中形成有阱區，在所述阱區中形成有摻雜類型不同的第一摻雜區和第二摻雜區，所述阱區、所述第一摻雜區和所述第二摻雜區暴露于所述基底的表面，所述第一摻雜區和所述第二摻雜區橫向排列并且所述第一摻雜區和所述第二摻雜區相接，所述第一摻雜區和所述第二摻雜區的相接區域組成所述齊納二極管的pn結。

7.如權利要求6所述的可控硅驅動電路，其特征在于，所述第一摻雜區包括第一摻雜本體區和與所述第一摻雜本體區橫向相接的第一摻雜擴散區，所述第二摻雜區包括第二摻雜本體區和與所述第二摻雜本體區橫向相接的第二摻雜擴散區；其中，所述第一摻雜擴散區和所述第二摻雜擴散區橫向相接，并且所述第一摻雜擴散區和所述第二摻雜擴散區的相接區域組成所述齊納二極管的pn結。

8.如權利要求1所述的可控硅驅動電路，其特征在于，所述齊納二極管為溫度補償型齊納二極管。

9.一種可控硅芯片，其特征在于，包括封裝體以及如權利要求1-8任一項所述的可控硅驅動電路，所述可控硅驅動電路封裝于所述封裝體內。

10.如權利要求9所述的可控硅芯片，其特征在于，所述可控硅芯片包括主電極引腳、次電極引腳、控制引腳、虛擬接地引腳以及信號補償引腳；其中，所述主電極引腳與所述可控硅驅動電路的輸出端連接，所述次電極引腳與所述可控硅驅動電路的電源輸入端連接，所述控制引腳與所述可控硅驅動電路的控制端連接，所述虛擬接地引腳與所述可控硅驅動電路的接地端連接，所述信號補償引腳與所述可控硅驅動電路的補償信號端連接。