[發明專利]垂直腔面發射激光器、制備方法及攝像頭模組

有效

• 申請號: 202010346066.1
• 申請日: 2020-04-27
• 公開（公告）號: CN111525394B
• 公開（公告）日: 2021-07-13
• 發明（設計）人: 羅杰;萬葉晶
• 申請（專利權）人: 江西歐邁斯微電子有限公司
• 主分類號: H01S5/183
• 分類號: H01S5/183
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334
• 代理人: 汪飛亞

1.一種垂直腔面發射激光器，其特征在于：包括：

襯底；

第一電極，連接于所述襯底；

第一分布式布拉格反射器和有源層，依次疊設于所述襯底的一側；

錯位層，包括設于所述有源層遠離所述襯底的一側的導光層和高阻層，所述高阻層位于所述導光層的外周側；

第二分布式布拉格反射器，包括導光部和高阻部，所述導光部設于所述導光層遠離所述襯底的一側，所述高阻部設于所述高阻層遠離所述襯底的一側；

第二電極，設于所述第二分布式布拉格反射器遠離所述襯底的一側；

其中，所述導光層與所述高阻層具有厚度差，以使所述導光層遠離所述襯底的一側的所述導光部和所述高阻層遠離所述襯底的一側的所述高阻部錯位設置。

2.如權利要求1所述的垂直腔面發射激光器，其特征在于：所述高阻層為氮化硅、氮化鋁及氮化硼中的任意一種。

3.如權利要求1或2所述的垂直腔面發射激光器，其特征在于：所述導光層與所述有源層一體設置。

4.如權利要求1所述的垂直腔面發射激光器，其特征在于：

所述第二分布式布拉格反射器包括多個交替設置的砷化鋁層和砷化鎵層；

所述導光層遠離所述襯底的一側的所述導光部中的每個砷化鋁層與所述高阻層遠離所述襯底的一側的所述高阻部中的砷化鎵層相鄰的側面正對設置；

所述導光層遠離所述襯底的一側的所述導光部中的每個砷化鎵層與所述高阻層遠離所述襯底的一側的所述高阻部中的砷化鋁層相鄰的側面正對設置。

5.如權利要求4所述的垂直腔面發射激光器，其特征在于：所述導光層與所述高阻層的厚度差為2N+1個砷化鋁層厚度或2N+1個砷化鎵層的厚度，其中N為整數。

6.如權利要求1所述的垂直腔面發射激光器，其特征在于：還包括：

第三分布式布拉格反射器，設于所述第二分布式布拉格反射器遠離所述襯底的一側；

第三電極，設于所述第三分布式布拉格反射器遠離所述襯底的一側。

7.一種垂直腔面發射激光器的制備方法，其特征在于：包括：

外延生長第一分布式布拉格反射器和有源層，所述第一分布式布拉格反射器和所述有源層依次疊設于襯底的一側；

形成錯位層，其中所述錯位層包括設于所述有源層遠離所述襯底的一側的高阻層和導光層，所述高阻層位于所述導光層的外周側，所述導光層與所述高阻層具有厚度差；

外延生長第二分布式布拉格反射器，所述第二分布式布拉格反射器包括導光部和高阻部，所述導光部設于所述導光層遠離所述襯底的一側，所述高阻部設于所述高阻層遠離所述襯底的一側，且所述導光層遠離所述襯底的一側的所述導光部和所述高阻層遠離所述襯底的一側的高阻部錯位設置；

形成第一電極和第二電極，所述第一電極連接于所述襯底，所述第二電極設于所述第二分布式布拉格反射器遠離所述襯底的一側。

8.如權利要求7所述的制備方法，其特征在于：所述高阻層為氮化硅、氮化鋁及氮化硼中的任意一種。

9.如權利要求7所述的制備方法，其特征在于：形成所述錯位層的步驟包括：

在所述有源層中部刻蝕出一臺階部，以形成所述導光層；

采用化學氣相 沉積法在所述導光層的外周側形成所述高阻層。

10.如權利要求7所述的制備方法，其特征在于：所述第二分布式布拉格反射器包括交替設置的砷化鋁層和砷化鎵層；

所述導光層遠離所述襯底的一側的所述導光部中的砷化鋁層與所述高阻層遠離所述襯底的一側的所述高阻部中的砷化鎵層相鄰的側面正對設置；

所述導光層遠離所述襯底的一側的所述導光部中的砷化鎵層與所述高阻層遠離所述襯底的一側的所述高阻部中的砷化鋁層相鄰的側面正對設置。