[發明專利]一種基于磁熱效應的光纖磁場探測器

在審

• 申請號: 202010345825.2
• 申請日: 2020-04-27
• 公開（公告）號: CN111398874A
• 公開（公告）日: 2020-07-10
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 西安柯萊特信息科技有限公司
• 主分類號: G01R33/032
• 分類號: G01R33/032
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種基于磁熱效應的光纖磁場探測器，其特征在于，包括襯底、熱膨脹層、第一光纖、第二光纖、光柵光纖、四氧化三鐵層、光源、光探測器，所述熱膨脹層置于所述襯底上，所述第一光纖、所述光柵光纖、所述第二光纖置于所述熱膨脹層上，所述第一光纖、所述光柵光纖、所述第二光纖依次連接，所述四氧化三鐵層包覆所述光柵光纖；使用時，所述第一光纖連接光源，所述第二光纖連接光探測器。

2.如權利要求1所述的基于磁熱效應的光纖磁場探測器，其特征在于：還包括第二四氧化三鐵層，所述第二四氧化三鐵層置于所述襯底與所述熱膨脹層之間。

3.如權利要求1-2任一項所述的基于磁熱效應的光纖磁場探測器，其特征在于：所述四氧化三鐵層和所述第二四氧化三鐵層由四氧化三鐵納米粒子構成。

4.如權利要求3所述的基于磁熱效應的光纖磁場探測器，其特征在于：所述四氧化三鐵納米粒子的粒徑尺寸為10納米-100納米。

5.如權利要求4所述的基于磁熱效應的光纖磁場探測器，其特征在于：所述熱膨脹層為有機玻璃、聚酰胺、聚氯乙烯。

6.如權利要求5所述的基于磁熱效應的光纖磁場探測器，其特征在于：所述襯底的材料為二氧化硅。

7.如權利要求6所述的基于磁熱效應的光纖磁場探測器，其特征在于：在所述光柵光纖下部所述熱膨脹層的厚度大于在所述第一光纖和所述第二光纖下部所述熱膨脹層的厚度。

8.如權利要求7所述的基于磁熱效應的光纖磁場探測器，其特征在于：在所述熱膨脹層的上表面具有微納尺寸的凸起。