[發明專利]一種微流控芯片及其制備方法

有效

• 申請號: 202010345010.4
• 申請日: 2020-04-27
• 公開（公告）號: CN111514949B
• 公開（公告）日: 2020-12-01
• 發明（設計）人: 王云兵;李高參;馬博軒;楊立;鄒耀中;蘇云鵬;江鵬
• 申請（專利權）人: 四川大學;成都今是科技有限公司
• 主分類號: B01L3/00
• 分類號: B01L3/00
• 代理公司: 成都正華專利代理事務所(普通合伙) 51229
• 代理人: 郭艷艷

1.一種微流控芯片，其特征在于：包括經過疏水改性的芯片基底，所述芯片基底上覆有磷脂膜，所述磷脂膜上鑲嵌有經過核苷酸修飾物修飾后的跨膜蛋白；所述跨膜蛋白為α-HL、Msp A或phi29；所述核苷酸修飾物為親水聚合物和核苷酸的復合物，所述復合物中親水聚合物和核苷酸通過共價鍵連接。

2.根據權利要求1所述的微流控芯片，其特征在于：所述親水聚合物為聚賴氨酸、聚谷氨酸或聚乙二醇；所述核苷酸為腺嘌呤核苷酸、胸腺嘧啶核苷酸、胞嘧啶核苷酸或鳥嘌呤核苷酸。

3.如權利要求1～2任一項所述的微流控芯片的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1：對芯片基底進行疏水改性；

S2：在疏水改性后的芯片基底上形成磷脂膜；

S3：采用核苷酸修飾物對跨膜蛋白進行修飾改性；

S4：將改性后的跨膜蛋白嵌裝到磷脂膜上，完成微流控芯片的制備。

4.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，芯片基底疏水改性包括以下步驟：

SS1：用Su-8對基片表面進行預處理；

SS2：在預處理后的基片上進行環氧開環；

SS3：將全氟化物接枝到環氧開環后的基片上，得疏水改性芯片基底；

所述基片材料為聚苯乙烯或聚碳酸酯。

5.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于：所述全氟化物為全氟癸基乙烯、全氟十一烷酸、十七氟十一酰氯、全氟十二烷氨、全氟癸基三甲氧基硅烷和全氟癸基二甲基氯硅烷中的至少一種。

6.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，S2中磷脂膜的形成包括以下步驟：

SS1：將磷脂分子、疏水單體和光引發劑按1:0.5～3:0.5～3的摩爾比混合，得穩定化的兩性磷脂分子；

SS2：將穩定化的兩性磷脂分子溶于電解質溶液中，得兩性磷脂分子溶液；

SS3：將疏水改性后的芯片基底在兩性磷脂分子溶液中浸潤，然后紫外輻照10～60min，即得。

7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于：所述穩定化的兩性磷脂分子中磷脂分子、疏水單體和光引發劑的摩爾比為1:1:1。

8.采用權利要求6或7所述的制備方法，其特征在于：所述磷脂分子為二植烷?；字Ｄ憠A和/或二植烷酰基磷脂酰乙醇胺；所述疏水單體為甲基丙烯酸正丁酯和/或二甲基丙烯酸乙二醇酯；所述光引發劑為2,2-二乙氧基-1-苯己酮和/或2-羥基-2-甲基-1-苯基丙酮。

9.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于：改性后的跨膜蛋白通過自組裝的方式嵌裝到磷脂膜上。