[發(fā)明專利]一種能夠匹配SE+堿拋的單晶硅電池片擴散提效工藝

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010344852.8
• 申請日: 2020-04-27
• 公開（公告）號: CN111508829B
• 公開（公告）日: 2022-04-08
• 發(fā)明（設計）人: 王奎
• 申請（專利權）人: 徐州谷陽新能源科技有限公司
• 主分類號: H01L21/225
• 分類號: H01L21/225;H01L31/18;H01L31/068
• 代理公司: 南京樂羽知行專利代理事務所(普通合伙) 32326
• 代理人: 朱磊

1.一種能夠匹配SE+堿拋的單晶硅電池片擴散提效工藝，包括以下步驟：

第一步、將待擴散的硅片置于擴散爐中，升溫至775-795℃；

第二步、待溫度穩(wěn)定后，將爐內各溫區(qū)的溫度升至790-795℃，同時通入475-525sccm大N₂,855-945sccm O₂和475-525sccm的小N₂，時間為285-315s；

第三步、繼續(xù)將爐內各溫區(qū)的溫度控制在790-805℃，同時通入475-525sccm 大N₂,617-683sccm O₂和665-735sccm攜帶POCl₃的小N₂，時間為171-189s；

第四步、待溫度穩(wěn)定后，將爐內各溫區(qū)的溫度升至800-815℃，通入475-525scc大N₂,617-683sccm O₂和665-735sccm攜帶POCl₃的小N₂，時間為171-189s；

第五步、繼續(xù)將爐內各溫區(qū)的溫度升至870-885℃，同時通入1330-1470sccm 大N₂和475-525sccm的小N₂，時間為456-504s；

第六步、待溫度穩(wěn)定后，將爐內各溫區(qū)的穩(wěn)定至870-885℃，同時通入1805-1995sccm大N₂，時間為570-630s；

第七步、將爐內各溫區(qū)的溫度降至810-815℃，同時通入1330-1470sccm 大N₂和475-525sccm的小N₂，時間為798-882s；

第八步、繼續(xù)將爐內各溫區(qū)的溫度控制在810-815℃，同時通入380-420sccm 大N₂,665-735sccm O₂和665-735sccm攜帶POCl₃的小N₂，時間為171-189s；

第九步、將爐內各溫區(qū)的溫度降至780-795℃，同時通入1330-1470sccm 大N₂和475-525sccm的小N₂，時間為342-378s；

第十步、繼續(xù)將爐內各溫區(qū)的溫度控制在780-795℃，同時通入475-525sccm 大N₂,475-525sccm O₂和1140-1260sccm攜帶POCl₃的小N₂，時間為456-504s；

第十一步、將爐內各溫區(qū)的溫度降至780℃，同時通入950-1050sccm 大N₂,2375-2625sccm的O_2，時間為171-189s；

第十二步、繼續(xù)降溫，回壓，取出硅片。

2.根據權利要求1所述能夠匹配SE+堿拋的單晶硅電池片擴散提效工藝，其特征在于：

第一步、將待擴散的硅片置于擴散爐中，升溫至790℃；

第二步、待溫度穩(wěn)定后，將爐內各溫區(qū)的溫度升至790-795℃，同時通入500sccm 大N₂,900sccm O₂和500sccm的小N₂，時間為300s；

第三步、繼續(xù)將爐內各溫區(qū)的溫度控制在790-805℃，同時通入500sccm 大N₂,650sccmO₂和700sccm攜帶POCl₃的小N₂，時間為180s；

第四步、待溫度穩(wěn)定后，將爐內各溫區(qū)的溫度升至800-815℃，通入500sccm 大N₂,650sccm O₂和700sccm攜帶POCl₃的小N₂，時間為180s；

第五步、繼續(xù)將爐內各溫區(qū)的溫度升至870-885℃，同時通入1400sccm 大N₂和500sccm的小N₂，時間為480s；

第六步、待溫度穩(wěn)定后，將爐內各溫區(qū)的穩(wěn)定至870-885℃，同時通入1900sccm 大N₂，時間為600s；

第七步、將爐內各溫區(qū)的溫度降至810-815℃，同時通入1400sccm 大N₂和500sccm的小N₂，時間為840s；

第八步、繼續(xù)將爐內各溫區(qū)的溫度控制在810-815℃，同時通入400sccm 大N₂,700sccmO₂和700sccm攜帶POCl₃的小N₂，時間為180s；

第九步、將爐內各溫區(qū)的溫度降至780-795℃，同時通入1400sccm 大N₂和500sccm的小N₂，時間為360s；

第十步、繼續(xù)將爐內各溫區(qū)的溫度控制在780-795℃，同時通入500sccm 大N₂,500sccmO₂和1200sccm攜帶POCl₃的小N₂，時間為480s；

第十一步、將爐內各溫區(qū)的溫度降至780℃，同時通入1000sccm 大N₂,2500sccm的O_2，時間為180s；

第十二步、繼續(xù)降溫，回壓，取出硅片。