[發明專利]一種硅片清洗裝置及利用該裝置進行清洗的清洗方法在審
| 申請號: | 202010344227.3 | 申請日: | 2020-04-27 |
| 公開(公告)號: | CN111477572A | 公開(公告)日: | 2020-07-31 |
| 發明(設計)人: | 嵇峰 | 申請(專利權)人: | 江蘇晶科天晟能源有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/02;H01L31/18 |
| 代理公司: | 南京蘇科專利代理有限責任公司 32102 | 代理人: | 陳亮 |
| 地址: | 225800 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 硅片 清洗 裝置 利用 進行 方法 | ||
1.一種硅片清洗裝置,包括清洗裝置本體,其特征在于,所述清洗裝置本體包括設置在一端的進料口和設置在另一端的出料口,所述清洗裝置本體的底部配合設置有緩震底座,清洗裝置本體的一側設置有操作平臺,操作平臺與清洗裝置本體之間平行設置,所述清洗裝置本體的四周還配合設置有擋板;所述清洗裝置本體由若干組獨立的清洗機構及配合清洗機構設置的烘干機構組成,若干組獨立的清洗機構自進料口處到出料口依次按順序排布設置,所述烘干機構設置在最后一道清洗機構的前一道工序;所述清洗裝置本體還配合設置有操作面板,所述清洗裝置本體的四周及操作平臺上還配合設置有防護欄,所述清洗機構和烘干機構上還設置有運輸裝置。
2.根據權利要求1所述的一種硅片清洗裝置,其特征在于:所述清洗機構從進料口處到出料口處依次設置有六組并設定編號為第一清洗機構、第二清洗機構、第三清洗機構、第四清洗機構、第五清洗機構和第六清洗機構;所述烘干機構設置有一組,所述烘干機構設置在第五清洗機構和第六清洗機構之間。
3.根據權利要求1所述的一種硅片清洗裝置,其特征在于:所述運輸裝置從第一清洗機構經過烘干機構一直延續到第六清洗機構上;運輸裝置從進料口處到出料口處分別獨立設置有若干組分段運輸機構,若干組分段運輸機構之間無縫銜接。
4.根據權利要求2所述的一種硅片清洗裝置,其特征在于:所述第一清洗機構包括第一抽吸箱體,第一抽吸箱體的底部設置有第一抽吸管道,所述第一抽吸管道位于第一抽吸箱體中間的位置并在與第一抽吸箱體連接處的位置設置有喇叭口;所述分段運輸機構懸空架在第一抽吸箱體的上面。
5.根據權利要求2所述的一種硅片清洗裝置,其特征在于:所述第二清洗機構和第四清洗機構分別為低頻聲波浸泡機構和高頻聲波浸泡機構,所述第二清洗機構和第四清洗機構分別包括升降機構,配合升降機構設置的升降臺,配合升降臺設置的浸泡箱體,設置在浸泡箱體兩側的滑軌,所述升降臺通過滑軌進行上下移動;所述升降臺呈L形設置,升降臺包括縱向臂和橫向臂,縱向臂和橫向臂之間設置有加強筋,橫向臂上設置有分段運輸機構。
6.根據權利要求2所述的一種硅片清洗裝置,其特征在于:所述第三清洗機構、第五清洗機構包括第三清洗箱體和第五清洗箱體,分別配合第三清洗箱體和第五清洗箱體設置的大功率抽吸管道,大功率抽吸管道的開口朝上設置。
7.根據權利要求2所述的一種硅片清洗裝置,其特征在于:所述烘干機構包括烘干箱體,設置在烘干箱體內部的烘干管道,設置在烘干箱體下部的液體盛放箱體,烘干箱體和液體盛放箱體之間設置有分段運輸機構,烘干管道呈360°設置并放置在烘干箱體內。
8.根據權利要求2所述的一種硅片清洗裝置,其特征在于:所述第六清洗機構包括的第六清洗箱體,設置有第六清洗箱體內的噴吹管道,所述噴吹管道配合設置有若干組噴吹小孔;所述噴吹管道和第六清洗箱體之間以斜面連接,所述斜面上布滿有噴吹小孔。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





