[發明專利]顯示面板及其制備方法、顯示裝置有效
| 申請號: | 202010344142.5 | 申請日: | 2020-04-27 |
| 公開(公告)號: | CN111554693B | 公開(公告)日: | 2022-12-16 |
| 發明(設計)人: | 徐豪杰;周星耀;李玥;高婭娜 | 申請(專利權)人: | 武漢天馬微電子有限公司;武漢天馬微電子有限公司上海分公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/84;H01L27/32;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 北京匯思誠業知識產權代理有限公司 11444 | 代理人: | 張育英 |
| 地址: | 430205 湖北省武*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
本發明提供了一種顯示面板及其制備方法、顯示裝置,涉及顯示技術領域,用于均衡顯示面板中各個位置處的過孔密度,提高TFT的性能。顯示區包括多個像素電路;非顯示區包括設置多個選通電路組的選通電路區和設置多個柵極驅動電路單元的柵極驅動電路區;像素電路、選通電路組和柵極驅動電路單元均包括多個晶體管,晶體管包括的有源結構和第二電極之間包括第一無機絕緣層,第一無機絕緣層包括貫穿第一無機絕緣層的第一子過孔、第二子過孔和第二過孔;第二電極和第三電極分別通過第一子過孔和第二子過孔與有源結構電連接;第二過孔與有源結構在顯示面板所在平面的正投影不交疊;選通電路區和/或柵極驅動電路區包括第二過孔。
【技術領域】
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種顯示面板及其制備方法、顯示裝置。
【背景技術】
薄膜晶體管(Thin Film Transistor,以下簡稱TFT)是組成顯示面板的重要組成部分。目前,在顯示面板的顯示區和非顯示區均會設置TFT器件。例如,在顯示區中設置TFT器件用于構建像素電路。在非顯示區中設置TFT器件用于構建周邊電路。TFT器件的性能對顯示面板的顯示效果具有重要影響。如何合理設計顯示面板中不同區域處的TFT器件的結構以保證顯示面板的顯示效果,成為研究人員的研究重點。
【發明內容】
本發明實施例提供了一種顯示面板及其制備方法,顯示裝置,用以通過對顯示面板中不同區域的TFT器件結構進行合理設計,以保證顯示面板的顯示效果。
一方面,本發明實施例提供了一種顯示面板,包括顯示區和非顯示區;
所述顯示區包括多個像素電路;
所述非顯示區包括選通電路區和柵極驅動電路區,所述選通電路區包括多個選通電路組,所述柵極驅動電路區包括多個柵極驅動電路單元;
所述像素電路、所述選通電路組和所述柵極驅動電路單元均包括多個晶體管,所述晶體管包括有源結構、第一電極、第二電極和第三電極,所述有源結構和所述第二電極之間包括第一無機絕緣層,所述第一無機絕緣層包括貫穿所述第一無機絕緣層的過孔,所述過孔包括第一過孔和第二過孔,所述第一過孔包括第一子過孔和第二子過孔;所述第一子過孔在所述顯示面板所在平面的正投影和所述第二子過孔在所述顯示面板所在平面的正投影均與所述有源結構在所述顯示面板所在平面的正投影至少部分交疊,所述第二過孔在所述顯示面板所在平面的正投影與所述有源結構在所述顯示面板所在平面的正投影不交疊,所述第二電極通過所述第一子過孔與所述有源結構電連接,所述第三電極通過所述第二子過孔與所述有源結構電連接;
所述選通電路區包括所述第二過孔;
和/或,
所述柵極驅動電路區包括所述第二過孔。
另一方面,本發明實施例提供了一種顯示面板的制備方法,所述顯示面板包括顯示區和非顯示區,所述非顯示區包括選通電路區和柵極驅動電路區,所述制備方法包括:
提供一襯底基板;
在所述襯底基板的一側形成像素電路、選通電路組和柵極驅動電路單元;所述像素電路位于所述顯示區,所述選通電路組位于所述選通電路區,所述柵極驅動電路單元位于所述柵極驅動電路區;所述像素電路、所述選通電路組和所述柵極驅動電路單元均包括多個晶體管,所述晶體管包括有源結構、第一電極、第二電極和第三電極;
形成所述像素電路、所述選通電路組和所述柵極驅動電路單元的方法包括:
在所述襯底基板的一側形成所述有源結構、所述第一電極和第一無機絕緣層;所述第一無機絕緣層位于所述有源結構遠離所述襯底基板的一側;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





