[發明專利]中心結構制備方法、X射線波帶片制備方法及X射線波帶片

在審

• 申請號: 202010343496.8
• 申請日: 2020-04-27
• 公開（公告）號: CN113643839A
• 公開（公告）日: 2021-11-12
• 發明（設計）人: 文慶濤;盧維爾;夏洋
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: G21K1/06
• 分類號: G21K1/06;C23C16/34;C23C16/40;C23C16/455
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 吳夢圓

1.一種X射線波帶片的中心結構制備方法，其特征在于，包括：

去除目標光纖的涂覆層，得到原始中心結構，所述原始中心結構包括原始纖芯和原始包層；

將所述原始中心結構拉伸至預設尺寸，得到圓臺形狀的處理中心結構，所述預設尺寸包括第一預設直徑、第二預設直徑和預設長度，所述第一預設直徑小于所述第二預設直徑；

對所述處理中心結構進行切割，得到具有所述預設尺寸的目標中心結構。

2.根據權利要求1所述的X射線波帶片的中心結構制備方法，其特征在于，所述去除目標光纖的涂覆層，得到原始中心結構之前，還包括：

對原始光纖進行清潔處理，得到目標光纖。

3.根據權利要求1或2所述的X射線波帶片的中心結構制備方法，其特征在于，所述去除目標光纖的涂覆層，得到原始中心結構，包括：

采用光纖涂覆層剝除平臺去除目標光纖的涂覆層，得到原始中心結構。

4.根據權利要求3所述的X射線波帶片的中心結構制備方法，其特征在于，所述采用光纖涂覆層剝除平臺去除目標光纖的涂覆層，得到原始中心結構，包括：

采用光纖涂覆層剝除平臺去除位于目標光纖上預設區域內的涂覆層，得到原始中心結構。

5.根據權利要求1或2所述的X射線波帶片的中心結構制備方法，其特征在于，所述將所述原始中心結構拉伸至預設尺寸，得到圓臺形狀的處理中心結構，包括：

將所述原始中心結構的一端固定在底座上，向所述底座施加目標拉力，并在預設拉伸參數下，采用超穩等離子加溫設備從所述原始中心結構的另一端將所述原始中心結構拉伸至預設尺寸，得到圓臺形狀的處理中心結構，所述預設拉伸參數包括所述超穩等離子加溫設備的工作模式和所述超穩等離子加溫設備的工作參數，所述超穩等離子加溫設備的工作參數包括所述超穩等離子加溫設備的功率、所述超穩等離子加溫設備的拉伸速率和所述超穩等離子加溫設備的拉伸力。

6.根據權利要求5所述的X射線波帶片的中心結構制備方法，其特征在于，所述超穩等離子加溫設備的功率為450-800W，所述超穩等離子加溫設備的拉伸速率為40-110μm/s；所述目標拉力為1-50N。

7.根據權利要求5所述的X射線波帶片的中心結構制備方法，其特征在于，所述超穩等離子加溫設備的工作模式為單向拉錐模式。

8.根據權利要求1或2所述的X射線波帶片的中心結構制備方法，其特征在于，所述目標光纖的直徑為80-400μm，所述第一預設直徑和所述第二預設直徑為25-200μm。

9.一種X射線波帶片的制備方法，其特征在于，包括：

制備目標中心結構，所述目標中心結構為權利要求1-8任一所述的方法制備的中心結構；

采用原子層沉積技術在所述目標中心結構的表面交替沉積薄膜環帶結構，得到原始波帶片；

在所述原始波帶片的表面沉積保護層，并采用聚焦離子束微納加工技術對所述原始波帶片進行切割，得到目標波帶片。

10.根據權利要求9所述的X射線波帶片的制備方法，其特征在于，所述采用原子層沉積技術在所述目標中心結構的表面交替沉積薄膜環帶結構，得到原始波帶片，包括：

將所述目標中心結構懸空固定在原子層沉積的腔室內，在執行待沉積操作后，在所述目標中心結構的表面交替沉積薄膜環帶結構，得到原始波帶片，所述待沉積操作包括抽真空、加熱和通氮氣。